[发明专利]一种薄膜晶体管、阵列基板及其制备方法、显示装置有效
| 申请号： | 201510236824.3 | 申请日： | 2015-05-11 |
| 公开（公告）号： | CN104934482B | 公开（公告）日： | 2018-09-18 |
| 发明（设计）人： | 袁广才;闫梁臣;徐晓光;王磊;彭俊彪;兰林锋 | 申请（专利权）人： | 京东方科技集团股份有限公司;华南理工大学 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L29/24;H01L29/66 |
| 代理公司： | 北京中博世达专利商标代理有限公司 11274 | 代理人： | 申健 |
| 地址： | 100015 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明实施例提供一种薄膜晶体管、阵列基板及其制备方法、显示装置，涉及显示技术领域，能够减少半导体有源层中铟元素的使用，从而解决由于铟元素越来越稀缺，而导致的制作成本上升的问题。其中，所述薄膜晶体管的制备方法包括：在透明基板上，通过构图工艺形成半导体有源层的图案；其中半导体有源层的图案包括硼化镧图案。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 薄膜晶体管 阵列 及其 制备 方法 显示装置 | ||
【主权项】：
1.一种薄膜晶体管的制备方法，其特征在于，包括：在透明基板上，通过构图工艺形成半导体有源层的图案；其中所述半导体有源层的图案包括硼化镧图案，半导体有源层包括硼化镧薄膜层；所述半导体有源层为多层薄膜层堆叠而成，所述硼化镧薄膜层位于多层薄膜层堆叠结构的中间层；所述多层薄膜层堆叠结构中的其他薄膜层采用金属氧化物半导体；所述硼化镧薄膜层为半导体层。
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