[发明专利]晶片的加工方法有效

专利信息
申请号: 201510239228.0 申请日: 2015-05-12
公开(公告)号: CN105097482B 公开(公告)日: 2020-08-14
发明(设计)人: 铃木克彦 申请(专利权)人: 株式会社迪思科
主分类号: H01L21/304 分类号: H01L21/304
代理公司: 北京三友知识产权代理有限公司 11127 代理人: 李辉;黄纶伟
地址: 日本*** 国省代码: 暂无信息
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摘要: 发明提供一种晶片的加工方法,其能够防止晶片的破损并且能够充分地确保器件的形成数量。包括:磨削步骤,对晶片(11)的背面(11b)进行磨削来形成与器件区域(13)对应的凹部(23),并且在晶片的背面侧形成与外周剩余区域(15)对应的环状凸部(25);以及切断槽形成步骤,在实施磨削步骤后,在凹部与环状凸部之间的边界上形成从晶片的正面(11a)到背面的切断槽(33),该切断槽(33)切断器件区域和外周剩余区域,切断槽是通过干蚀刻形成的。
搜索关键词: 晶片 加工 方法
【主权项】:
一种晶片的加工方法,该晶片具有器件区域和围绕该器件区域的外周剩余区域,该器件区域在由交叉的多个分割预定线划分的正面的各区域上分别形成有器件,其特征在于,所述晶片的加工方法包括:磨削步骤,对晶片的背面进行磨削来形成与该器件区域对应的凹部,并且在晶片的背面侧形成与该外周剩余区域对应的环状凸部;以及切断槽形成步骤,在实施该磨削步骤后,在该凹部与该环状凸部之间的边界上形成从晶片的正面到达背面的切断槽,该切断槽用于切断该器件区域和该外周剩余区域,该切断槽是通过干蚀刻形成的。
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