[发明专利]半导体模块有效
申请号: | 201510244472.6 | 申请日: | 2015-05-14 |
公开(公告)号: | CN105097573B | 公开(公告)日: | 2019-01-08 |
发明(设计)人: | D.博洛夫斯基;A.弗勒梅尔特;C.克施廷;C.施塔尔胡特 | 申请(专利权)人: | 英飞凌科技股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/58 | 分类号: | H01L21/58 |
代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人: | 卢江;徐红燕 |
地址: | 德国瑙伊比*** | 国省代码: | 德国;DE |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明涉及一种半导体模块。本发明涉及一种用于制造电子模块的方法。对此,提供组件(99),该组件具有:电路载体(3),该电路载体具有金属的第一表面区段(311);第一接合配对件(1),该第一接合配对件借助于第一连接层(41)与金属的第一表面区段(311)以材料决定的方式连接;和金属的第二表面区段(111;312)。在热处理中,将金属的第二表面区段(111;312)不中断地保持在下述温度上,该温度高于至少为300℃的热处理最低温度。此外,提供第二接合配对件(2)。通过将第二接合配对件(2)在对第二表面区段(111;312)进行热处理结束之后以材料决定的方式与组件(99)连接,建立第二接合配对件(2)和组件(99)之间的牢固的连接。 | ||
搜索关键词: | 半导体 模块 | ||
【主权项】:
1.用于制造电子模块的方法,具有下述步骤:提供组件(99),所述组件具有:·电路载体(3),所述电路载体具有金属的第一表面区段(311);·第一接合配对件(1),所述第一接合配对件借助于第一连接层(41)与所述金属的第一表面区段(311)以材料决定的方式连接;和·金属的第二表面区段(111;312);执行热处理,其中将所述金属的第二表面区段(111;312)不中断地保持在下述温度上,所述温度高于至少为300℃的热处理最低温度;提供第二接合配对件(2);通过将所述第二接合配对件(2)在对所述第二表面区段(111;312)的热处理结束之后以材料决定的方式与所述组件(99)连接,建立所述第二接合配对件(2)和所述组件(99)之间的牢固的连接。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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