[发明专利]一种对位曝光方法

摘要

本发明公开一种对位曝光方法，涉及显示面板制造技术领域，为解决使用现有的对位曝光方法无法实现对大于掩膜板尺寸的透明基板进行曝光的问题。所述对位曝光方法，包括一次对位曝光过程和二次对位曝光过程，一次对位曝光过程中在透明基板的至少一侧边缘形成多对对位标记，二次对位曝光过程中使用的掩膜板的至少一侧边缘上设有一对标记孔；在二次对位曝光过程的多次掩膜板对位过程中，使掩膜板上的一对标记孔逐一与透明基板上对应侧的各对对位标记对正。本发明提供的对位曝光方法用于对大于掩膜板尺寸的透明基板进行多次拼接的二次曝光。所述对位曝光方法用于显示基板的制作。

主权项

一种对位曝光方法，其特征在于，包括一次对位曝光过程和二次对位曝光过程，其中，所述一次对位曝光过程中在透明基板的至少一侧边缘形成多对对位标记；所述二次对位曝光过程中使用的掩膜板的至少一侧边缘上设有一对标记孔，所述透明基板的同侧相邻两对所述对位标记相隔设定距离，且所述设定距离小于等于所述掩膜板对应侧的有效曝光区域的宽度；所述二次对位曝光过程包括多次掩膜板对位过程和多次曝光过程，在多次掩膜板对位过程中，使所述掩膜板上的一对标记孔逐一与透明基板上对应侧的各对所述对位标记对正；所述透明基板的侧边长度是所述掩膜板有效曝光区域宽度的整数倍或非整数倍，当透明基板的侧边长度是掩膜板有效曝光区域宽度的非整数倍时,在相邻两次曝光中的第二次曝光过程中通过其他遮挡板遮住第二次曝光与第一次曝光的重合区域，以避免此重合区域重复曝光。