[发明专利]阵列基板及其制造方法、显示面板、显示装置、掩模板在审
| 申请号： | 201510253297.7 | 申请日： | 2015-05-18 |
| 公开（公告）号： | CN104810322A | 公开（公告）日： | 2015-07-29 |
| 发明（设计）人： | 张治超;郭总杰;刘正;张小祥;陈曦;刘明悬 | 申请（专利权）人： | 京东方科技集团股份有限公司;北京京东方显示技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/77 | 分类号： | H01L21/77;H01L27/12;G02F1/1362 |
| 代理公司： | 北京三高永信知识产权代理有限责任公司 11138 | 代理人： | 鞠永善 |
| 地址： | 100015 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种阵列基板及其制造方法、显示面板、显示装置、掩模板，属于显示技术领域。所述阵列基板的制造方法包括：在衬底基板上采用掩模板的不透光区域形成第一掩膜图形，所述掩膜板包括：透明基板，所述透明基板上形成有半透光区域，形成有所述半透光区域的透明基板上形成有不透光区域，所述透明基板上除所述半透光区域和所述不透光区域之外的区域为全透光区域；在形成有所述第一掩膜图形的衬底基板上采用所述掩膜板的半透光区域和所述不透光区域形成第二掩膜图形。本发明解决了阵列基板的制造过程较繁琐，且制造成本较高的问题，实现了简化制造过程，且降低制造成本的效果，用于制造阵列基板。 | ||
| 搜索关键词： | 阵列 及其 制造 方法 显示 面板 显示装置 模板 | ||
【主权项】：
一种阵列基板的制造方法，其特征在于，所述方法包括：在衬底基板上采用掩模板的不透光区域形成第一掩膜图形，所述掩膜板包括：透明基板，所述透明基板上形成有半透光区域，形成有所述半透光区域的透明基板上形成有不透光区域，所述透明基板上除所述半透光区域和所述不透光区域之外的区域为全透光区域；在形成有所述第一掩膜图形的衬底基板上采用所述掩膜板的半透光区域和所述不透光区域形成第二掩膜图形。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
