[发明专利]阵列基板、阵列基板制造方法和显示装置有效
| 申请号： | 201510254643.3 | 申请日： | 2015-05-18 |
| 公开（公告）号： | CN104808409B | 公开（公告）日： | 2018-03-27 |
| 发明（设计）人： | 张大成;董文储 | 申请（专利权）人： | 京东方科技集团股份有限公司 |
| 主分类号： | G02F1/1362 | 分类号： | G02F1/1362 |
| 代理公司： | 北京三高永信知识产权代理有限责任公司11138 | 代理人： | 鞠永善 |
| 地址： | 100015 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明是关于一种阵列基板、阵列基板制造方法和显示装置，属于显示技术领域。所述阵列基板包括衬底基板；所述衬底基板上形成有包括像素电极的图案和存储电容，所述存储电容为超级电容，所述超级电容包括第一电极、第二电极以及形成于所述第一电极和所述第二电极之间的电解质层，所述第二电极与所述像素电极电连接。本发明通过以电容较高的超级电容作为存储电容，而即使减小超级电容两极面积，超级电容也能达到与普通电容相同的电容大小，解决了现有技术中为了减小跳变而增大存储电容两级的面积时，会减小开口率，继而影响显示效果的问题；达到了既减小液晶像素上电压的跳变，又不减小开口率的效果。 | ||
| 搜索关键词： | 阵列 制造 方法 显示装置 | ||
【主权项】：
一种阵列基板，其特征在于，所述阵列基板包括：衬底基板；所述衬底基板上形成有存储电容，所述存储电容为超级电容，所述超级电容包括第一电极、第二电极以及形成于所述第一电极和所述第二电极之间的电解质层；在所述衬底基板上形成有包括薄膜晶体管的图案的情况下，包括所述第一电极的图案和所述薄膜晶体管中栅极的图案是在一次构图工艺中形成的；在所述衬底基板上依次形成有包括栅极的图案和栅绝缘层的情况下，所述第一电极的图案形成于所述栅绝缘层上方。
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