[发明专利]湿法刻蚀机及采用该刻蚀机进行刻蚀的方法有效
申请号: | 201510260667.X | 申请日: | 2015-05-20 |
公开(公告)号: | CN104835767B | 公开(公告)日: | 2019-12-31 |
发明(设计)人: | 李盛荣;郑载润;王世凯;金童燮;耿军;李登涛;李茜茜;梁亚东 | 申请(专利权)人: | 合肥鑫晟光电科技有限公司;京东方科技集团股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67;H01L21/677;H01L21/306 |
代理公司: | 11243 北京银龙知识产权代理有限公司 | 代理人: | 许静;黄灿 |
地址: | 230011 *** | 国省代码: | 安徽;34 |
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摘要: | 本发明提供一种湿法刻蚀机及采用该刻蚀机进行刻蚀的方法。该湿法刻蚀机包括刻蚀腔室,所述刻蚀腔室内设置有至少两个刻蚀层,各个所述刻蚀层由上至下依次层叠设置,且每一所述刻蚀层包括:用于放置及传送待刻蚀基板的第一传送载体以及设置于所述第一传送载体正上方、用于喷涂刻蚀药液的喷淋装置。采用该刻蚀机及其方法,能够解决现有技术的湿法刻蚀机,当生产工艺中需要总刻蚀时间大于基板不停留情况下的传送时间时,需要增加停留时间造成刻蚀的生产节拍降低,或者需要增加串联刻蚀腔室的个数,造成占地面积较大的问题。 | ||
搜索关键词: | 湿法 刻蚀 采用 进行 方法 | ||
【主权项】:
1.一种湿法刻蚀机,包括刻蚀腔室,其特征在于,所述刻蚀腔室内设置有至少两个刻蚀层,各个所述刻蚀层由上至下依次层叠设置,且每一所述刻蚀层包括:用于放置及传送待刻蚀基板的第一传送载体以及设置于所述第一传送载体正上方、用于喷涂刻蚀药液的喷淋装置;/n所述湿法刻蚀机还包括:/n控制器,用于使各个所述刻蚀层的喷淋装置同时喷涂刻蚀药液,对各个所述刻蚀层上的待刻蚀基板进行刻蚀;/n设置于所述刻蚀腔室的第一侧的缓冲腔室和设置于所述刻蚀腔室的第二侧的清洗腔室;/n升降结构,用于所述缓冲腔室内的待刻蚀基板传送至位于不同高度的刻蚀层,同时使位于不同高度的刻蚀层上的、完成刻蚀的基板能够传输至所述清洗腔室;/n所述缓冲腔室内设置有用于将待刻蚀基板传送至所述刻蚀腔室内的第二传送载体;/n所述清洗腔室内设置有用于从所述第一传送载体接收刻蚀后基板的第三传送载体以及对所述第三传送载体上的刻蚀后基板进行清洗的清洗装置;/n其中,所述升降结构,用于使其中一所述刻蚀层的所述第一传送载体的承载表面与所述第二传送载体的承载表面位于同一平面,以使所述第二传送载体上的待刻蚀基板水平传送至所述第一传送载体;以及用于使其中一所述刻蚀层的所述第一传送载体的承载表面与所述第三传送载体的承载表面位于同一平面,使所述第一传送载体上的刻蚀后基板水平传送至所述第三传送载体。/n
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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