[发明专利]一种利用脉冲激光沉积镀膜技术制备铁硒碲薄膜的方法

摘要

本发明属于新型铁基超导体领域，具体涉及一种利用脉冲激光沉积镀膜技术制备铁硒碲薄膜的方法。首先将Fe、Se、Te粉末按一定的摩尔比混合研磨均匀；其次将研磨后的粉末在真空石英管中700℃烧结24小时，400℃时进行淬火处理，再次研磨成粉，压制成所需靶材的大小后在真空石英管中700℃烧结24小时，400℃时进行淬火处理；调整激光器参数，对得到的靶材进行预处理后，在衬底上进行一定时间的薄膜生长；在真空中自然降温后得到所需薄膜。本发明利用脉冲激光沉积镀膜技术进行铁硒碲超导薄膜的生长，具有使用方便、镀膜速度快、可制备不同成分薄膜、更容易保持靶材与衬底成分一致等优点。

主权项

一种利用脉冲激光沉积镀膜技术制备铁硒碲薄膜的方法，其特征在于，具体制备步骤如下:a)将Fe、Se和Te粉末按一定的摩尔比混合研磨均匀；b)将研磨后的粉末在真空石英管中700℃烧结24小时后，降温至400℃时进行淬火处理；c)将步骤b)烧结后的铁硒碲再次研磨成粉，再压制成所需靶材的大小；d)把压制好的在真空石英管中700℃烧结24小时后，降温至400℃时进行淬火处理，得到靶材；e)将衬底和制备好的靶材放入生长腔，抽真空至10^‑8mbar，通过衬底架中的加热丝给衬底加热至所需温度，等待至温度稳定，气压至10^‑7mbar左右；f)调整激光参数，设置适当的激光能量、激光频率；g)对靶材进行预处理，在靶材和衬底之间加入挡板后，使用激光打击靶材两分钟；h)开始激光沉积镀膜，使靶材不断转动以保持打击均匀，根据所需薄膜厚度控制沉积时间；i)生长完成后，关闭加热器，使薄膜在真空腔中自然冷却至室温后取出，得到铁硒碲薄膜。