[发明专利]半导体芯片有效

专利信息
申请号: 201510266222.2 申请日: 2011-08-10
公开(公告)号: CN104932599B 公开(公告)日: 2017-06-06
发明(设计)人: 野谷宏美;鹿岛一生 申请(专利权)人: 瑞萨电子株式会社
主分类号: G05F1/56 分类号: G05F1/56
代理公司: 北京市金杜律师事务所11256 代理人: 王茂华,吕世磊
地址: 日本*** 国省代码: 暂无信息
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摘要: 发明提供对噪声不敏感并且消耗电流小的半导体芯片。在半导体芯片中,通过具有小的电流驱动能力的调节器和具有大的电流驱动能力的调节器产生用于内部电路块的内部电源电压。在参考电压产生电路和具有大的电流驱动能力的调节器之间提供电压缓冲器。在低速操作模式,使电压缓冲器和具有大的电流驱动能力的调节器去激活。因此,抑制了参考电压中的噪声,并且可以减小消耗电流。
搜索关键词: 半导体 芯片
【主权项】:
一种半导体芯片,具有其中消耗第一电流的第一操作模式和其中消耗大于所述第一电流的第二电流的第二操作模式,所述半导体芯片包括:参考电压产生电路,用于产生第一参考电压;第一调节器,具有第一电流驱动能力并且基于所述第一参考电压产生电源电压;电压缓冲器,用于产生与所述第一参考电压相应水平的第二参考电压;第二调节器,具有高于所述第一电流驱动能力的第二电流驱动能力,并且基于所述第二参考电压产生所述电源电压;以及内部电路,由所述第一调节器和所述第二调节器所产生的所述电源电压驱动,并且执行所述第一操作模式和所述第二操作模式,其中所述第二调节器被提供成靠近所述内部电路,其中所述第一调节器和所述电压缓冲器被提供成靠近所述参考电压产生电路,其中所述电压缓冲器被提供在所述参考电压产生电路与所述第二调节器之间,并且其中在所述第一操作模式中使所述电压缓冲器和所述第二调节器去激活。
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