[发明专利]非挥发性记忆单元以及非挥发性记忆装置

摘要

本发明提出一种非挥发性记忆单元以及非挥发性记忆装置。非挥发性记忆单元包含一锁存结构、第一读写电路、第一忆阻器、第二读写电路以及第二忆阻器。第一读写电路用以控制第一忆阻器的写入操作。第二读写电路用以控制第二忆阻器的写入操作。当进行恢复操作时，利用第一忆阻器与第二忆阻器的阻值差异恢复锁存结构的数据电位。本发明的非挥发性记忆装置结合了快速记忆元件与非挥发性记忆体的优点，其即可在工作状态时高速工作，又可在断电状态时保存数据。

主权项

一种非挥发性记忆单元，其特征在于，包含：一锁存结构，其具有一储存节点与一反向储存节点，用以在该非挥发性记忆单元于一工作电压下，储存一对位数据，该锁存结构电性耦接至一字符读取线；一第一读写电路，电性耦接至一位线、一第一控制线与该锁存结构；一第二读写电路，电性耦接至一反位线、该第一控制线与该锁存结构；一第一忆阻器，电性耦接至该第一读写电路与一第二控制线；以及一第二忆阻器，电性耦接至该第二读写电路与该第二控制线；其中，该第一读写电路包含一第五晶体管与一第六晶体管，该第二读写电路包含一第七晶体管与一第八晶体管，该第五晶体管、该第六晶体管、该第七晶体管以及该第八晶体管各自均具有第一端、第二端与控制端，该第五晶体管，其第二端耦接至一系统接地端，其控制端耦接至该第一控制线，该第六晶体管，其第二端耦接至该第一忆阻器，其控制端耦接至该位线，该第五晶体管的第一端与该第六晶体管的第一端连接，并电性耦接至该锁存结构，该第七晶体管，其第二端耦接至该系统接地端，其控制端耦接至该第一控制线，该第八晶体管，其第二端耦接至该第二忆阻器，其控制端耦接至该反位线，以及该第七晶体管的第一端与第八晶体管的第一端连接，并电性耦接至该锁存结构；其中，在该非挥发性记忆单元于断电状态下，该第一忆阻器、该第二忆阻器用以储存该对位数据；当该字符读取线的电压准位为该工作电压时，该位线、该第一控制线与该第二控制线控制该第一读写电路，以将该储存节点的数据写入该第一忆阻器，或将该第一忆阻器的数据读取至该储存节点，该反位线、该第一控制线与该第二控制线控制该第二读写电路，以将该反向储存节点的数据写入该第二忆阻器，或将该第二忆阻器的数据读取至该反向储存节点。