[发明专利]使用MOS装置对寄生电容的中和有效
| 申请号： | 201510272118.4 | 申请日： | 2015-05-25 |
| 公开（公告）号： | CN105281678B | 公开（公告）日： | 2018-04-24 |
| 发明（设计）人： | A·萨马维达姆;D·博克尔曼 | 申请（专利权）人： | 安华高科技通用IP(新加坡)公司 |
| 主分类号： | H03F1/26 | 分类号： | H03F1/26;H03F3/45 |
| 代理公司： | 北京律盟知识产权代理有限责任公司11287 | 代理人： | 林斯凯 |
| 地址： | 新加坡*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明涉及使用MOS装置对寄生电容的中和。一种设备包括放大器，所述放大器包括具有寄生栅极到漏极电容的至少一个金属氧化物半导体MOS晶体管；及至少一个MOS中和装置，其具有经配置以补偿所述至少一个MOS晶体管的所述寄生栅极到漏极电容的中和电容。 | ||
| 搜索关键词： | 使用 mos 装置 寄生 电容 中和 | ||
【主权项】：
一种用于中和寄生电容的设备，其包括：第一PMOS晶体管，其具有连接到第一节点的源极、连接到第二节点的漏极及连接到第三节点的栅极；第二PMOS晶体管，其具有连接到所述第一节点的源极、连接到第四节点的漏极及连接到第五节点的栅极；第一NMOS晶体管，其具有连接到第六节点的源极、连接到所述第二节点的漏极及连接到第七节点的栅极；第二NMOS晶体管，其具有连接到所述第六节点的源极、连接到所述第四节点的漏极及连接到第八节点的栅极；第一MOS差分中和装置，其连接在所述第三节点与所述第四节点之间；第二MOS差分中和装置，其连接在所述第五节点与所述第二节点之间；第三MOS差分中和装置，其连接在所述第七节点与所述第四节点之间；以及第四MOS差分中和装置，其连接在所述第八节点与所述第二节点之间，其中所述第一到第四MOS差分中和装置包括PMOS电容器。
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