[发明专利]导电材料、透明膜、电子器件和制备导电材料的方法

摘要

本发明公开导电材料、透明膜、电子器件和制备导电材料的方法。所述导电材料包括：选自过渡金属、铂族元素、稀土元素、及其组合的第一元素；具有比所述第一元素的原子半径小10％至比所述第一元素的原子半径大10％的原子半径的第二元素；和硫属元素，其中所述导电材料具有层状晶体结构。

主权项

1.导电材料，其由化学式1表示：化学式1M11‑aM2aX2其中，在化学式1中，M1为选自Ce、Ni和Pd的第一元素；M2为具有比所述第一元素的原子半径小10％至比所述第一元素的原子半径大10％的原子半径的第二元素；X为硫属元素，和0.01≤a≤0.2；和其中所述导电材料具有层状晶体结构，和其中当所述第一元素为Ni时，所述第二元素为Mg、Mn、Fe、Co、Cu、Zn、Ga、Ge、Cd、In、Sn、Sb、Tl、Pb、Bi、或Po，当所述第一元素为Pd时，所述第二元素为Li、Sc、Ti、V、Cr、Mn、Fe、Co、Tc、Ru、Rh、Ag、Cd、In、Os、Ir、Pt、Au、Hg、Tl、或Pb，和当所述第一元素为Ce时，所述第二元素为Li、Na、Ca、Sc、Ti、V、Cr、Nb、Mo、Tc、Ru、Rh、Pd、Ta、W、Re、Os、Ir、Pt、Au、Hg、或La。