[发明专利]一种改善漏极电流的薄膜晶体管有效
| 申请号： | 201510281308.2 | 申请日： | 2015-05-28 |
| 公开（公告）号： | CN104900708B | 公开（公告）日： | 2017-11-17 |
| 发明（设计）人： | 郭太良;叶芸;张永爱;汪江胜;康冬茹;林连秀 | 申请（专利权）人： | 福州大学 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L29/12 |
| 代理公司： | 福州元创专利商标代理有限公司35100 | 代理人： | 蔡学俊 |
| 地址： | 350002 福*** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | 本发明提供一种改善漏极电流的薄膜晶体管，包括基板、栅极绝缘层、有源层、源极、漏极及栅极，其特征在于对所述有源层进行掺杂，掺杂层呈梯度状或掺杂浓度呈梯状。所述掺杂层梯度从源极至漏极呈低至高。所述掺杂浓度的梯度从源极至漏极呈低至高。在有源层中掺杂具有一定梯度的材料，当源漏极加压的时候，由于靠近漏极的载流子较多，所以就会达到饱和区的漏极电流增大的效果。从而获得更高的开关电流比，元件的切换速度也会变得更快。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 改善 电流 薄膜晶体管 | ||
【主权项】：
一种改善漏极电流的薄膜晶体管，包括基板、栅极绝缘层、有源层、源极、漏极及栅极，其特征在于：对所述有源层进行掺杂，掺杂层呈厚度梯度状或掺杂浓度呈梯状;所述掺杂层厚度梯度从源极至漏极呈低至高或所述掺杂浓度的梯度从源极至漏极呈低至高。
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