[发明专利]适合低电压操作的简单电荷泵电路有效

专利信息
申请号: 201510285462.7 申请日: 2015-05-29
公开(公告)号: CN104811034B 公开(公告)日: 2017-07-11
发明(设计)人: 袁庆鹏 申请(专利权)人: 聚辰半导体(上海)有限公司
主分类号: H02M3/07 分类号: H02M3/07
代理公司: 上海信好专利代理事务所(普通合伙)31249 代理人: 徐雯琼,徐茂泰
地址: 201203 上海市浦东*** 国省代码: 上海;31
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摘要: 发明涉及一种适合低电压操作的简单电荷泵电路,其包含级联的若干个电荷泵子单元;每一级电荷泵子单元设有三个NMOS晶体管和一对两相时钟信号,包含第一NMOS晶体管,作为传输开关,其漏极连接本级输入端,源极连接本级输出端;第二NMOS晶体管,其漏极和栅极相连接,并连接至本级输出端,源极连接第一NMOS晶体管的栅极;第三NMOS晶体管,其漏极和栅极接相连接,并连接至第一NMOS晶体管的栅极,源极连接本级输入端;第一相时钟信号,其通过第一电容连接本级输出端,第二相时钟信号,其通过第二电容连接第一NMOS晶体管的栅极。本发明以简单的结构提升作为传输开关的NMOS晶体管的栅极电压,降低衬底偏置效应的副作用,并简化电路板图设计。
搜索关键词: 适合 电压 操作 简单 电荷 电路
【主权项】:
一种适合低电压操作的简单电荷泵电路,其特征在于,包含级联的若干个电荷泵子单元;每一级电荷泵子单元设有三个NMOS晶体管和一对两相时钟信号,包含:第一NMOS晶体管,作为传输开关,其漏极连接本级电荷泵子单元的输入端,源极连接本级电荷泵子单元的输出端;第二NMOS晶体管,其漏极和栅极相连接,并连接至本级电荷泵子单元的输出端,源极连接第一NMOS晶体管的栅极;第三NMOS晶体管,其漏极和栅极接相连接,并连接至第一NMOS晶体管的栅极,源极连接本级电荷泵子单元的输入端;第一相时钟信号,其通过第一电容连接本级电荷泵子单元的输出端;第二相时钟信号,其通过第二电容连接第一NMOS晶体管的栅极;所述第一相时钟信号和第二相时钟信号是互补的非交叠信号。
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