[发明专利]半导体装置有效
| 申请号： | 201510300343.4 | 申请日： | 2009-12-25 |
| 公开（公告）号： | CN104900705B | 公开（公告）日： | 2019-03-29 |
| 发明（设计）人： | 中野佑纪 | 申请（专利权）人： | 罗姆股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/336;H01L29/45 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 刘建 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供一种半导体装置，包括：具有表面且由SiC构成的半导体层；形成于所述半导体层的表层部的第一导电型的基体区域；隔着栅极绝缘膜而与所述基体区域对置的栅电极；形成于所述半导体层的表层部且形成所述半导体的所述表面的第二导电型的源极区域；形成于所述半导体层的所述表面上并与所述源极区域接触的源极配线；以覆盖所述栅电极的方式形成的绝缘膜；以及相对于所述基体区域而形成于所述半导体层的背面侧的第一导电型的漏极区域，所述源极配线具有多层构造，所述多层构造至少具有多晶硅层和金属层，且通过以使所述多晶硅层在所述半导体层的表面上与所述源极区域相接且不与所述漏极区域相接的方式依次层叠所述多晶硅层和所述金属层而得到。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 | ||
【主权项】：
1.一种半导体装置，其中，包括：具有表面且由SiC构成的半导体层；形成于所述半导体层的表层部的第一导电型的基体区域；隔着栅极绝缘膜而与所述基体区域对置的栅电极；形成于所述半导体层的表层部，且形成所述半导体层的所述表面的第二导电型的源极区域；形成于所述半导体层的所述表面上，并与所述源极区域接触的源极配线；从所述半导体层的表面挖下且在其内表面上形成有所述栅极绝缘膜的栅极沟槽；从所述半导体层的所述表面挖下以成为深度与所述栅极沟槽相同的源极沟槽；以覆盖所述栅电极的方式形成的绝缘膜；以及相对于所述基体区域而形成于所述半导体层的背面侧的第一导电型的漏极区域，所述源极配线具有在所述半导体层的表面上与所述源极区域相接且与所述漏极区域相接的构造，所述源极配线以从所述绝缘膜上跨所述源极沟槽的方式形成，所述源极配线包括以在所述源极沟槽内具有凹部的方式沿着所述源极沟槽的内表面形成的多晶硅层，所述源极配线包括金属层，该金属层填满所述多晶硅层的所述凹部且该金属层的上表面被平坦化。
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