[发明专利]半导体器件在审
| 申请号： | 201510300351.9 | 申请日： | 2015-06-03 |
| 公开（公告）号： | CN105321931A | 公开（公告）日： | 2016-02-10 |
| 发明（设计）人： | 古桥隆寿;松本雅弘 | 申请（专利权）人： | 瑞萨电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L23/538 | 分类号： | H01L23/538 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 | 代理人： | 李兰;孙志湧 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明涉及半导体器件，一种提供提高的可靠性的具有电容器的半导体器件。布线和电容器形成在上覆半导体衬底的层间绝缘膜上，且另一层间绝缘膜形成在该层间绝缘膜上以便覆盖布线和电容器。电容器包括上覆层间绝缘膜的下电极、上覆层间绝缘膜以至少部分地覆盖下电极的上电极，以及插入下电极和上电极之间的电容绝缘膜。上电极和布线由同一层中的导电膜图案形成。一个插塞位于下电极下并电耦接至下电极，且另一插塞位于上电极的在平面图中与下电极不重叠的部分上并电耦接至上电极。另一插塞位于布线上并电耦接至该布线。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 | ||
【主权项】：
一种半导体器件，包括：半导体衬底；第一层间绝缘膜，所述第一层间绝缘膜形成在所述半导体衬底上；第一布线和用于电容器的下电极，所述第一布线和所述下电极形成在所述第一层间绝缘膜上并且彼此隔开；用于所述电容器的上电极，所述上电极形成在所述第一层间绝缘膜上以便至少部分地覆盖所述下电极；用于所述电容器的电容绝缘膜，所述电容绝缘膜插入在所述下电极和所述上电极之间；第二层间绝缘膜，所述第二层间绝缘膜形成在所述第一层间绝缘膜上，以便覆盖所述第一布线、所述下电极、所述电容绝缘膜以及所述上电极；第一接触插塞，所述第一接触插塞掩埋在所述第一层间绝缘膜中，所述第一接触插塞位于所述下电极下方并且电耦接至所述下电极；第二接触插塞，所述第二接触插塞掩埋在所述第二层间绝缘膜中，所述第二接触插塞位于所述上电极上并且电耦接至所述上电极；以及第三接触插塞，所述第三接触插塞掩埋在所述第二层间绝缘膜中，所述第三接触插塞位于所述第一布线上并且电耦接至所述第一布线，其中，所述第一布线和所述上电极由一层中的导电膜图案形成，并且其中，所述第二接触插塞位于所述上电极的在平面图中与所述下电极不重叠的部分上。
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