[发明专利]发光二极管芯片及发光装置有效
申请号: | 201510300867.3 | 申请日: | 2015-06-03 |
公开(公告)号: | CN105322082B | 公开(公告)日: | 2019-04-09 |
发明(设计)人: | 李小罗 | 申请(专利权)人: | 首尔伟傲世有限公司 |
主分类号: | H01L33/58 | 分类号: | H01L33/58;H01L27/15;H01L27/02 |
代理公司: | 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 | 代理人: | 张洋;臧建明 |
地址: | 韩国京畿道安山市檀*** | 国省代码: | 韩国;KR |
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摘要: | 公开一种发光二极管芯片及发光装置。所述发光装置包括:发光二极管芯片,其包括发光二极管部及保护二极管部;及透镜,其位于发光二极管芯片上;透镜包括:下部面,其形成有下部凹陷部,所述下部凹陷部定义供从发光二极管芯片释放的光入射的入射面;及上部面,其定义光射出的面,形成有上部凹陷部;发光二极管芯片配置于下部凹陷部的下方或其内部;上部凹陷部位于保护二极管部的上部。本发明提供的发光装置指向分布宽阔而均一、发光特性优秀。 | ||
搜索关键词: | 发光二极管芯片 发光装置 凹陷部 透镜 二极管部 发光二极管部 凹陷部位 发光特性 光入射 光射出 入射面 上部面 均一 指向 释放 配置 | ||
【主权项】:
1.一种发光装置,其特征在于,包括:发光二极管芯片,其包括发光二极管部及与所述发光二极管部反并联连接的保护二极管部;及透镜,其位于所述发光二极管芯片上;所述透镜包括:下部面,其形成有下部凹陷部,所述下部凹陷部定义供从所述发光二极管芯片释放的光入射的入射面;及上部面,其定义供所述光射出的面,形成有上部凹陷部;所述发光二极管芯片配置于所述下部凹陷部的下方或其内部,所述发光二极管芯片的所述保护二极管部位于所述上部凹陷部的下方,所述发光二极管部及所述保护二极管部分别包括:第一导电型半导体层;以及台面,位于所述第一导电型半导体层上,并包括第二导电型半导体层与活性层,所述台面包括位于所述发光二极管部的第一台面以及位于所述保护二极管部的第二台面,且所述台面的侧面具有倾斜形状,所述发光二极管部的第一导电型半导体层及第二导电型半导体层,分别与所述保护二极管部的第二导电型半导体层及第一导电型半导体层电连接,所述发光二极管芯片包括:第二型接触电极,其位于所述第一台面及所述第二台面上;第一绝缘层,其覆盖所述第二型接触电极、所述发光二极管部及所述保护二极管部,且包括使所述第一导电型半导体层部分地露出的第一开口部和使所述第二型接触电极部分地露出的第二开口部;第一型焊垫电极,其至少部分地覆盖所述第一绝缘层,通过所述第一开口部而电连接于所述发光二极管部的第一导电型半导体层,通过所述第二开口部而电连接于所述保护二极管部上的所述第二型接触电极;及第二型焊垫电极,其通过所述第一开口部而电连接于所述保护二极管部的第一导电型半导体层,通过所述第二开口部而电连接于所述发光二极管部上的所述第二型接触电极,所述发光二极管芯片还包括第二绝缘层,所述第二绝缘层至少部分地覆盖所述第一型焊垫电极、所述第二型焊垫电极及所述第一绝缘层,所述第二绝缘层包括分别使所述第一型焊垫电极和所述第二型焊垫电极露出的第三开口部及第四开口部,所述发光二极管芯片还包括:第一凸块,其通过所述第三开口部而与所述第一型焊垫电极电连接;及第二凸块,其通过所述第四开口部而与所述第二型焊垫电极电连接。
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