[发明专利]双极晶体管结构和制造双极晶体管结构的方法有效
| 申请号： | 201510301796.9 | 申请日： | 2015-06-04 |
| 公开（公告）号： | CN105321995B | 公开（公告）日： | 2019-11-26 |
| 发明（设计）人： | C.达尔;A.蒂尔克;D.A.楚马科夫 | 申请（专利权）人： | 英飞凌科技德累斯顿有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L29/737 | 分类号： | H01L29/737;H01L21/331 |
| 代理公司： | 72001 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 王岳;胡莉莉<国际申请>=<国际公布>= |
| 地址： | 德国德*** | 国省代码： | 德国;DE |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及双极晶体管结构和制造双极晶体管结构的方法。根据各种实施例，双极晶体管结构可包括：衬底；在衬底中的集电极区；设置在集电极区之上的基极区，设置在基极区之上的发射极区；横向地电接触基极区的基极端子，其中基极端子包括多晶硅。 | ||
| 搜索关键词： | 双极晶体管 结构 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种制造双极晶体管结构的方法，所述方法包括：/n用第一介电层结构覆盖在衬底中的集电极区；/n形成在所述第一介电层结构之上的多晶硅层；/n形成在所述多晶硅层之上的第二介电层结构，所述第二介电层结构覆盖所述多晶硅层；/n部分地移除所述第二介电层结构和所述多晶硅层以部分地暴露在所述集电极区之上的第一介电层结构并暴露所述多晶硅层的横向侧；/n从所述多晶硅层的被暴露横向侧移除所述多晶硅层的一部分；/n移除被暴露的第一介电层结构以至少部分地暴露所述集电极区；以及/n在所述集电极区之上生长外延硅以形成基极区，外延生长的基极区连接到所述多晶硅层。/n
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于英飞凌科技德累斯顿有限责任公司，未经英飞凌科技德累斯顿有限责任公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201510301796.9/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种嵌入式系统自引导启动方法
- 下一篇：计量系统以及方法
- 同类专利
- 专利分类
