[发明专利]层叠陶瓷电容器有效
申请号: | 201510312333.2 | 申请日: | 2015-06-09 |
公开(公告)号: | CN105280377B | 公开(公告)日: | 2018-07-17 |
发明(设计)人: | 神崎泰介;增成晃生 | 申请(专利权)人: | 株式会社村田制作所 |
主分类号: | H01G4/30 | 分类号: | H01G4/30;H01G4/12;H01B1/02;H01B3/12 |
代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人: | 李逸雪 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 本发明提供层叠陶瓷电容器,能在抑制内部电极的覆盖率的降低的同时实现内部电极的薄层化。层叠陶瓷电容器包括:以包含Ba、Ti且任意含有Zr、Hf的钙钛矿型化合物为主成分的电介质层;和平均厚度0.5μm以下的内部电极。在电介质层中,进行调整,使得相对于Ti、Zr和Hf的合计量100摩尔份,Mg成分为0≤Mg≤0.4(摩尔份)的范围。另外,在内部电极的缺损部中存在Mg成分的比例为20%以上、即(存在Mg的缺损部个数/全部缺损部个数)×100(%)≥20(%)。 | ||
搜索关键词: | 内部电极 层叠陶瓷电容器 缺损 电介质层 钙钛矿型化合物 薄层化 覆盖率 | ||
【主权项】:
1.一种层叠陶瓷电容器,具有:多个电介质层,其含有钙钛矿型化合物,该钙钛矿型化合物包含Ba、Ti、且任意包含Zr、Hf;和设置在所述电介质层彼此的界面之中的多个界面的多个内部电极,所述层叠陶瓷电容器的特征在于,所述内部电极的平均厚度为0.5μm以下,在所述电介质层中,相对于Ti、Zr和Hf的合计量100摩尔份,Mg成分处于0摩尔份≤Mg≤0.4摩尔份的范围,在所述内部电极的连续性中断的区域即缺损部存在Mg成分的比例为20%以上,即:(存在Mg的缺损部个数/全部缺损部个数)×100%≥20%,所述内部电极包含作为导电材料的Ni。
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