[发明专利]TFT基板结构的制作方法及TFT基板结构

摘要

本发明提供一种TFT基板结构的制作方法及TFT基板结构。本发明的TFT基板结构的制作方法，在制作栅极的同时，在栅极两侧形成间隔分布的数个金属段，并以栅极和数个金属段作为光罩，对多晶硅层进行离子注入，在多晶硅层上形成n型重掺杂区的同时，在n型重掺杂区之间形成未掺杂区，增加了阻值，分散了电极附近的强电场，避免了因局部强电场的存在而发生的热载流子效应对器件特性的影响，提高了工作电流，简化了制程，降低了生产成本，减小了TFT基板的尺寸。本发明的TFT基板结构，多晶硅层的n型重掺杂区之间形成有未掺杂区，避免了局部强电场的产生，消除了热载流子效应对器件特性的影响，具有较高的工作电流，结构简单，生产成本低。

主权项

1.一种TFT基板结构的制作方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤1、提供基板(1)，在所述基板(1)上沉积缓冲层(2)；步骤2、在所述缓冲层(2)上沉积多晶硅层(3)；步骤3、在所述多晶硅层(3)上沉积栅极绝缘层(4)，在所述栅极绝缘层(4)上沉积金属层(5)；步骤4、在所述金属层(5)上涂布光阻层(6)，通过一道光罩对所述光阻层(6)进行曝光、显影，得到位于中间的第一光阻段(61)、及间隔分布于所述第一光阻段(61)两侧的数个第二光阻段(62)；步骤5、以所述第一光阻段(61)、及数个第二光阻段(62)为阻挡层，对所述金属层(5)进行蚀刻，对应所述第一光阻段(61)下方得到栅极(51)，分别对应所述数个第二光阻段(62)下方得到数个金属段(52)；步骤6、剥离所述第一光阻段(61)、及数个第二光阻段(62)，以所述栅极(51)、及数个金属段(52)为光罩，对所述多晶硅层(3)进行离子注入，在所述多晶硅层(3)上对应所述栅极(51)下方形成未掺杂的沟道区(33)，对应所述沟道区(33)的两侧形成数个n型重掺杂区(31)，对应所述数个金属段(52)下方形成位于所述数个n型重掺杂区(31)之间的数个未掺杂区(32)；靠近所述第一光阻段(61)两侧的两个第二光阻段(62)与所述第一光阻段(61)之间的距离均小于1μm，所述第二光阻段(62)的宽度为1μm～2μm；靠近所述栅极(51)两侧的两个金属段(52)与所述栅极(51)之间的距离均小于1μm，所述金属段(52)的宽度为1μm～2μm。