[发明专利]用于制造太阳能电池的方法有效
申请号: | 201510312681.X | 申请日: | 2015-06-09 |
公开(公告)号: | CN105185863B | 公开(公告)日: | 2018-11-02 |
发明(设计)人: | 李敬秀;崔珉浩;李真荧;郭界永;朴相昱 | 申请(专利权)人: | LG电子株式会社 |
主分类号: | H01L31/18 | 分类号: | H01L31/18 |
代理公司: | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人: | 吕俊刚;刘久亮 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 韩国;KR |
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摘要: | 讨论了一种用于制造太阳能电池的方法。所述制造太阳能电池的方法包括以下步骤:在半导体基板上形成导电区;形成连接至所述导电区的电极;以及后加工所述半导体基板,以钝化所述半导体基板。所述后加工所述半导体基板包括用于在向所述半导体基板提供光的同时热处理所述半导体基板的主加工工序。所述主加工工序的温度为大约100℃至大约800℃,并且所述主加工工序的所述温度和光强度满足方程1750‑31.8·T+(0.16)·T2≤I。这里,T是所述主加工工序的温度(℃),而I是所述主加工序的所述光强度(mW/cm2)。 | ||
搜索关键词: | 用于 制造 太阳能电池 方法 | ||
【主权项】:
1.一种制造太阳能电池的方法,该方法包括以下步骤:在半导体基板上形成导电区;在形成所述导电区之后,形成连接至所述导电区的电极以形成所述太阳能电池;以及后加工所述半导体基板,以钝化所述半导体基板,其中,所述后加工所述半导体基板包括用于在向所述半导体基板提供光的同时对所述半导体基板整个热处理的主加工工序,其中,所述主加工工序在形成所述电极之后执行,其中,所述主加工工序的温度为100℃至800℃,其中,所述主加工工序包括上升时段、主时段和冷却时段,其中,所述后加工还包括预先热处理工序,所述预先热处理工序在形成所述电极之后且在所述主加工工序之前,并且所述预先热处理工序在比形成所述电极的温度更低的温度下执行,而不需要另外向所述半导体基板供应光,并且其中,所述主加工工序的温度和光强度满足方程1,<方程1>1750‑31.8·T+(0.16)·T2≤I其中,T是所述主加工工序的温度,单位为℃,而I是所述主加工序的所述光强度,单位为mW/cm2。
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