[发明专利]晶片的加工方法在审
申请号: | 201510314409.5 | 申请日: | 2015-06-10 |
公开(公告)号: | CN105304561A | 公开(公告)日: | 2016-02-03 |
发明(设计)人: | 中村胜;万德公丈 | 申请(专利权)人: | 株式会社迪思科 |
主分类号: | H01L21/78 | 分类号: | H01L21/78;H01L21/683 |
代理公司: | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人: | 李辉;黄纶伟 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 提供晶片的加工方法,使安装在沿分割预定线分割或沿分割预定线形成断裂起点的晶片背面的芯片结合用粘合膜沿一个个分割的半导体器件芯片断裂,防止断裂时细微破碎的粘合膜直接附着于半导体器件芯片的正面。对在正面格子状地形成多条分割预定线并在由多条分割预定线划分的多个区域形成器件芯片的晶片进行加工的方法包含:晶片支承工序,将粘合膜安装于沿分割预定线分割或沿分割预定线形成断裂起点的晶片背面并在粘合膜侧粘贴划片带,通过环状框架支承划片带的外周部;粘合膜断裂工序,扩展划片带使粘合膜沿一个个器件芯片断裂,在粘合膜断裂工序前实施保护膜形成工序,对晶片正面和/或从晶片外周缘伸出的粘合膜的外周部覆盖水溶性树脂形成保护膜。 | ||
搜索关键词: | 晶片 加工 方法 | ||
【主权项】:
一种晶片的加工方法,在该晶片的正面格子状地形成有多条分割预定线并且在通过该多条分割预定线而划分的各区域中形成有器件芯片,在该晶片的加工方法中,将所述晶片沿分割预定线分割为一个个器件芯片,并且将用于芯片结合的粘合膜安装于各器件芯片的背面,该晶片的加工方法的特征在于,该晶片的加工方法包含:晶片支承工序,将粘合膜安装于沿分割预定线被分割、或者沿分割预定线形成有断裂起点的晶片的背面并且在粘合膜侧粘贴划片带,并通过环状的框架支承划片带的外周部;以及粘合膜断裂工序,扩展划片带而使粘合膜沿一个个器件芯片断裂,在实施该粘合膜断裂工序之前实施保护膜形成工序,其中在该保护膜形成工序中,将水溶性树脂覆盖于晶片的正面、或者从晶片的外周缘伸出的粘合膜的外周部、或者晶片的正面与从晶片的外周缘伸出的粘合膜的外周部来形成保护膜。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于株式会社迪思科,未经株式会社迪思科许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201510314409.5/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:一种污泥脱水增效装置
- 下一篇:液压提升整粒系统
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造