[发明专利]CMOS工艺中多晶硅电阻的制造方法

摘要

本发明公开了一种CMOS工艺中多晶硅电阻的制造方法，包括如下步骤：依次形成栅介质层和多晶硅层；进行光刻刻蚀同时形成多晶硅栅和多晶硅电阻；定义出N型源漏注入的注入区域，该区域同时包括多晶硅电阻的形成区域；进行N型源漏注入，该N型源漏注入同时将N型杂质注入到多晶硅电阻中；定义出P型源漏注入的注入区域，该区域同时包括多晶硅电阻的形成区域；进行P型源漏注入，该P型源漏注入同时将P型杂质注入到多晶硅电阻中；进行快速热退火实现杂质激活。本发明能降低成本。

主权项

1.一种CMOS工艺中多晶硅电阻的制造方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤一、依次在半导体衬底表面形成栅介质层和多晶硅层；步骤二、采用光刻刻蚀工艺对所述多晶硅层进行刻蚀同时形成NMOS器件的多晶硅栅、PMOS器件的多晶硅栅和多晶硅电阻；步骤三、采用NMOS器件的N型源漏注入的光罩定义出所述N型源漏注入的注入区域，所述N型源漏注入的注入区域同时包括所述多晶硅电阻的形成区域且是将所述多晶硅电阻的形成区域全部打开；步骤四、进行所述N型源漏注入在所述NMOS器件的多晶硅栅两侧形成N+掺杂的源漏区，所述N型源漏注入同时将N型杂质注入到所述多晶硅电阻中；步骤五、采用PMOS器件的P型源漏注入的光罩定义出所述P型源漏注入的注入区域，所述P型源漏注入的注入区域同时包括所述多晶硅电阻的形成区域且是将所述多晶硅电阻的形成区域全部打开；步骤六、进行所述P型源漏注入在所述PMOS器件的多晶硅栅两侧形成P+掺杂的源漏区，所述P型源漏注入同时将P型杂质注入到所述多晶硅电阻中；步骤七、采用快速热退火对所述NMOS器件的源漏区、所述PMOS器件的源漏区以及所述多晶硅电阻的杂质进行激活，所述多晶硅电阻由步骤四注入的N型杂质和步骤六注入的P型杂质的叠加确定；所述快速热退火实现在所述多晶硅电阻的厚度范围内的扩散激活。