[发明专利]半导体组件的制造方法在审
| 申请号： | 201510315302.2 | 申请日： | 2008-11-14 |
| 公开（公告）号： | CN104900636A | 公开（公告）日： | 2015-09-09 |
| 发明（设计）人： | T·斯托克梅尔;H·海尔布伦尔;C·戈布尔 | 申请（专利权）人： | 塞米克朗电子有限及两合公司 |
| 主分类号： | H01L25/00 | 分类号： | H01L25/00;H01L23/31;H01L23/488;H01L21/50;H01L21/56;H01L21/60;H01L21/603 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人： | 刘盈 |
| 地址： | 德国*** | 国省代码： | 德国;DE |
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| 摘要： | 本发明涉及一种用于制造半导体组件的方法，具有以下主要步骤：形成一个结构，该结构具有至少一个半导体构件、至少一个连接装置和至少一种设置在它们之间的结合剂；整个地或部分地封装此结构，形成至少一个半导体构件单元与至少一个连接装置的材料一体的连接。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 组件 制造 方法 | ||
【主权项】：
用于制造半导体组件的方法，具有以下主要步骤：A)形成结构(1)，该结构具有至少一个半导体构件(30)、至少一个连接装置(10，50，70)和至少一种设置在它们之间的结合剂(20)；B)整个地或部分地封装(40)所述结构(1)，所述结构被封闭；C)形成所述至少一个半导体构件(30)与所述至少一个连接装置(10，50)的材料一体的连接，其中，封装(40)起到了相对液体介质(42)的保护层的作用，所述液体介质用于形成材料一体的连接，并且其中封装(40)只轻微地影响温度和/或压力的施加。
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