[发明专利]太阳能电池及其制造方法

摘要

太阳能电池及其制造方法。讨论了一种制造太阳能电池的方法。该方法包括以下步骤在半导体衬底上形成隧穿层；在该隧穿层上形成半导体层，其中，形成该半导体层的步骤包括沉积半导体材料；以及形成连接到所述半导体层的电极。在高于室温的温度和低于大气压力的压力下形成所述隧穿层。

主权项

一种制造太阳能电池的方法，该方法包括以下步骤：在半导体衬底上形成隧穿层；在该隧穿层上形成具有多晶半导体的半导体层，其中，形成该半导体层的步骤包括沉积半导体材料；以及形成连接到所述半导体层的电极，其中，在高于室温的温度和低于大气压力的压力下形成所述隧穿层，其中，在形成所述隧穿层的步骤中，所述温度在从600℃到800℃的范围内，并且所述压力在从0.01托到2托的范围内，其中，在形成具有所述多晶半导体的所述半导体层的步骤中，所述温度在从600℃到700℃的范围内，并且所述压力在从0.01托到0.5托的范围内，形成所述隧穿层的步骤和形成所述半导体层的步骤通过在同一设备中连续进行的原位处理来进行，其中，所述方法还包括以下步骤：在形成所述半导体层的步骤和形成所述电极的步骤之间形成覆盖层，其中，所述覆盖层包括与所述隧穿层相同的材料，其中，形成所述隧穿层和所述覆盖层的步骤在包括氧气的气氛下进行，所述隧穿层和所述覆盖层包括氧化物，其中，所述半导体层包括第一导电类型区域、第二导电类型区域和屏障区域，所述第一导电类型区域包括具有第一导电类型的第一导电类型杂质，所述第二导电类型区域包括具有与所述第一导电类型相反的第二导电类型的第二导电类型杂质，所述屏障区域设置在所述第一导电类型区域和所述第二导电类型区域之间，其中，所述屏障区域是本征的，其中，形成所述半导体层的步骤包括以下步骤：通过用所述第一导电类型杂质对所述半导体层的区域进行掺杂来形成所述第一导电类型区域，以及通过用所述第二导电类型杂质对所述半导体层的另一区域进行掺杂来形成所述第二导电类型区域。