[发明专利]高密度芯片到芯片连接有效
| 申请号： | 201510317837.3 | 申请日： | 2015-06-11 |
| 公开（公告）号： | CN105261608B | 公开（公告）日： | 2019-03-15 |
| 发明（设计）人： | T.梅耶 | 申请（专利权）人： | 英特尔IP公司 |
| 主分类号： | H01L23/538 | 分类号： | H01L23/538;H01L21/768 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 周学斌;陈岚 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本发明涉及高密度芯片到芯片连接。一种装置包括至少第一IC管芯和第二IC管芯。第一和第二IC管芯的底表面包括多个第一连接焊盘，并且第一和第二IC管芯的顶表面包括多个第二连接焊盘。该装置还包括覆盖第一和第二IC管芯的顶表面的非导电材料层、多个通孔、在多个第一连接焊盘中的至少一部分和至少一个通孔之间的第一导电互连、以及在非导电材料层的顶表面上的第二导电互连，所述第二导电互连在多个第二连接焊盘中的至少一部分和多个通孔中的至少一个通孔之间提供电连续性。 | ||
| 搜索关键词： | 高密度 芯片 连接 | ||
【主权项】：
1.一种装置，包括：至少第一集成电路IC管芯和第二IC 管芯，其中所述第一和第二IC 管芯的底表面包括多个第一连接焊盘，并且所述第一和第二IC 管芯的顶表面包括多个第二连接焊盘；非导电材料层，其覆盖所述第一和第二IC 管芯的顶表面，所述非导电材料层具有接触所述第一和第二IC 管芯的底表面和与所述底表面相对的顶表面；多个通孔，其包括所述第一IC 管芯中的至少一个通孔，其从所述第一IC 管芯的底表面穿过所述IC 管芯并且穿过所述非导电材料层延伸到所述非导电材料层的所述顶表面，和所述第二IC 管芯中的至少一个通孔，其从所述第二IC 管芯的底表面穿过所述第二IC 管芯并穿过所述非导电材料层延伸到所述非导电材料层的所述顶表面；第一导电互连，其在所述多个第一连接焊盘中的至少一部分和所述多个通孔中的至少一个通孔之间；以及第二导电互连，其在所述非导电材料层的所述顶表面上，所述第二导电互连在所述多个第二连接焊盘中的至少一部分和所述第一和第二IC 管芯的所述通孔之间提供电连续性。
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