[发明专利]半导体器件在审
| 申请号： | 201510320055.5 | 申请日： | 2015-06-11 |
| 公开（公告）号： | CN105304135A | 公开（公告）日： | 2016-02-03 |
| 发明（设计）人： | 安正烈 | 申请（专利权）人： | 爱思开海力士有限公司 |
| 主分类号： | G11C16/10 | 分类号： | G11C16/10;G11C16/14 |
| 代理公司： | 北京弘权知识产权代理事务所(普通合伙) 11363 | 代理人： | 俞波;周晓雨 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 一种半导体器件可以包括具有多个存储器单元的存储块以及运算电路，所述运算电路配置成基于储存在所述存储器单元中的数据来执行第一编程循环、第二编程循环以及第三编程循环。第一编程循环可以将存储器单元的阈值电压分布成四个电平。第二编程循环可以将存储器单元的阈值电压分布成七个电平。第三编程循环可以将存储器单元的阈值电压分布成八个电平。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 | ||
【主权项】：
一种半导体器件，包括:存储块，其包括多个存储器单元；以及运算电路，其配置成基于储存在所述存储器单元中的数据来执行第一编程循环、第二编程循环以及第三编程循环，其中所述第一编程循环将所述存储器单元的阈值电压分布成四个电平，其中所述第二编程循环将所述存储器单元的阈值电压分布成七个电平，以及其中所述第三编程循环将所述存储器单元的阈值电压分布成八个电平。
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