[发明专利]太阳能电池的制造方法

摘要

本发明提供一种太阳能电池的制造方法，其包含以下工序：对半导体基板一个面上的第1区域给予含有包含n型杂质的玻璃粉末和分散介质的用于形成n型扩散层的组合物的工序；对位于所述半导体基板的设有所述第1区域的面上且为所述第1区域以外的第2区域给予含有包含p型杂质的玻璃粉末和分散介质的用于形成p型扩散层的组合物的工序；对给予了所述用于形成n型扩散层的组合物和用于形成p型扩散层的组合物的半导体基板进行热处理而形成n型扩散层和p型扩散层的热扩散工序；和在形成了所述n型扩散层的第1区域和形成了p型扩散层的第2区域分别形成电极的工序。 1

主权项

1.一种太阳能电池的制造方法，其包含以下工序：

对半导体基板一个面上的第1区域给予含有包含n型杂质的玻璃粉末和分散介质的用于形成n型扩散层的组合物的工序，

对位于所述半导体基板的设有所述第1区域的面上且为所述第1区域以外的第2区域给予含有包含p型杂质的玻璃粉末和分散介质的用于形成p型扩散层的组合物的工序，

对给予了所述用于形成n型扩散层的组合物和用于形成p型扩散层的组合物的半导体基板进行热处理而形成n型扩散层和p型扩散层的热扩散工序，和

在所述形成了n型扩散层的第1区域和形成了p型扩散层的第2区域分别形成电极的工序，

所述第1区域和所述第2区域互相不接触而空出规定间隔进行设置。

2.一种太阳能电池的制造方法，其包含以下工序：

对半导体基板一个面上的第1区域给予含有包含n型杂质的玻璃粉末和分散介质的用于形成n型扩散层的组合物的工序，

对位于所述半导体基板的设有所述第1区域的面上且为所述第1区域以外的第2区域给予含有包含p型杂质的玻璃粉末和分散介质的用于形成p型扩散层的组合物的工序，

对给予了所述用于形成n型扩散层的组合物和用于形成p型扩散层的组合物的半导体基板进行热处理而形成n型扩散层和p型扩散层的热扩散工序，

在所述热扩散工序之前，在位于所述半导体基板的设有所述第1区域和第2区域的面上且为选自所述第1区域、第2区域、以及第1区域和第2区域以外的第3区域中的至少1个区域之上设置保护层的工序，和

在所述形成了n型扩散层的第1区域和形成了p型扩散层的第2区域分别形成电极的工序，

所述第1区域和所述第2区域互相不接触而空出规定间隔进行设置。

3.根据权利要求2所述的太阳能电池的制造方法，其中，所述保护层是氧化物膜。

4.根据权利要求1～3中任一项所述的太阳能电池的制造方法，其中，所述n型杂质含有选自磷P和锑Sb中的至少1种元素。

5.根据权利要求1～3中任一项所述的太阳能电池的制造方法，其中，所述p型杂质含有选自硼B、铝Al和镓Ga中的至少1种元素。

6.根据权利要求1～3中任一项所述的太阳能电池的制造方法，其中，所述包含n型杂质的玻璃粉末含有

选自P₂O₃、P₂O₅及Sb₂O₃中的至少1种含n型杂质的物质、和

选自SiO₂、K₂O、Na₂O、Li₂O、BaO、SrO、CaO、MgO、BeO、ZnO、PbO、CdO、V₂O₅、SnO、ZrO₂、TiO₂、及MoO₃中的至少1种玻璃成分物质。

7.根据权利要求1～3中任一项所述的太阳能电池的制造方法，其中，所述包含p型杂质的玻璃粉末含有

选自B₂O₃、Al₂O₃及Ga₂O₃中的至少1种含p型杂质的物质、和

选自SiO₂、K₂O、Na₂O、Li₂O、BaO、SrO、CaO、MgO、BeO、ZnO、PbO、CdO、V₂O₅、SnO、ZrO₂、TiO₂、及MoO₃中的至少1种玻璃成分物质。