[发明专利]一种导电二氧化钛纳米棒有序阵列薄膜剥离工艺在审
| 申请号： | 201510336492.6 | 申请日： | 2015-06-17 |
| 公开（公告）号： | CN104944467A | 公开（公告）日： | 2015-09-30 |
| 发明（设计）人： | 李贵生;王文超;李恩杰;王占廷 | 申请（专利权）人： | 上海师范大学 |
| 主分类号： | C01G23/053 | 分类号： | C01G23/053;B82Y40/00;B01J21/06 |
| 代理公司： | 上海科盛知识产权代理有限公司 31225 | 代理人： | 赵志远 |
| 地址： | 200234 *** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及一种导电二氧化钛纳米棒有序阵列薄膜剥离工艺，包括以下步骤：(1)将钛的前驱体溶于溶剂，得到钛的前驱体溶液，并搅拌；(2)在钛的前驱体溶液中对称倾斜放置两片洗净的FTO导电玻璃，放入水热釜中进行水热处理，冷却后，取出FTO导电玻璃，直接得到附着在FTO导电玻璃上的导电二氧化钛纳米棒有序阵列薄膜。与现有技术相比，本发明提供了一种一步合成并且剥离的全新的导电自由无支撑二氧化钛纳米棒阵列薄膜的制备方法。制备过程简便、反应条件可控性强、合成时间短；所合成并剥离的导电自由无支撑二氧化钛薄膜，其纳米棒排布均匀，长短可调，在4-6μm。所制得的催化剂具有很好的结晶度，且具有明显的单晶衍射。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 导电 氧化 纳米 有序 阵列 薄膜 剥离 工艺 | ||
【主权项】：
一种导电二氧化钛纳米棒有序阵列薄膜剥离工艺，其特征在于，包括以下步骤：(1)将钛的前驱体溶于溶剂，得到钛的前驱体溶液，并搅拌；(2)在钛的前驱体溶液中对称倾斜放置两片洗净的FTO导电玻璃，放入水热釜中进行水热处理，冷却后，取出FTO导电玻璃，直接得到附着在FTO导电玻璃上的导电二氧化钛纳米棒有序阵列薄膜。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于上海师范大学，未经上海师范大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201510336492.6/，转载请声明来源钻瓜专利网。
