[发明专利]发光器件有效
| 申请号： | 201510344582.X | 申请日： | 2011-02-18 |
| 公开（公告）号： | CN104966770B | 公开（公告）日： | 2018-03-16 |
| 发明（设计）人： | 孙孝根 | 申请（专利权）人： | LG伊诺特有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/24 | 分类号： | H01L33/24 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司11219 | 代理人： | 周燕,夏凯 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明提供一种发光器件。在一个实施例中，发光器件包括发光结构，该发光结构包括第一导电类型半导体层、第二导电类型半导体层、以及在第一导电类型半导体层和第二导电类型半导体层之间的有源层；和在有源层和第二导电类型半导体层之间的抗电流泄漏层。第一导电类型半导体层包括多个沟槽。沿着沟槽形成有源层。与第二导电类型半导体层相邻的抗电流泄漏层的表面是平坦的。 | ||
| 搜索关键词： | 发光 器件 | ||
【主权项】：
一种发光器件，包括：发光结构，所述发光结构包括第一导电类型半导体层、在所述第一导电类型半导体层上的第二导电类型半导体层以及在所述第一导电类型半导体层和所述第二导电类型半导体层之间的有源层；和在所述有源层和所述第二导电类型半导体层之间的第一抗电流泄漏层，其中，所述第一导电类型半导体层包括通过平坦的上表面相互隔开的多个沟槽，所述沟槽具有V形状的截面，其中，所述有源层的一部分被布置在所述沟槽中，其中，所述第一抗电流泄漏层被填充到由所述沟槽下沉的区域并且在所述沟槽上具有平坦的上表面，其中，通过交替地堆叠多个阱层和多个势垒层来形成所述有源层，其中，所述第一导电类型半导体层包括p型掺杂物，以及所述第二导电类型半导体层和所述第一抗电流泄漏层包括n型掺杂物，以及其中，所述第一抗电流泄漏层包括InxAlyGa1‑x‑yN，其中0<x≤0.03，0<y<1，0<x+y<1。
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