[发明专利]器件晶片的评价方法有效
| 申请号： | 201510349474.1 | 申请日： | 2015-06-23 |
| 公开（公告）号： | CN105225980B | 公开（公告）日： | 2020-06-23 |
| 发明（设计）人： | 介川直哉;原田晴司 | 申请（专利权）人： | 株式会社迪思科 |
| 主分类号： | H01L21/66 | 分类号： | H01L21/66 |
| 代理公司： | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人： | 李辉;黄纶伟 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 器件晶片的评价方法。本发明提供一种能够在不污染器件晶片的情况下评价去疵性的评价方法。器件晶片(11)在正面(11a)形成有多个器件(19)并且在内部形成有去疵层(23)，该器件晶片的评价方法中，朝向器件晶片的背面(11b)照射电磁波(M1)并且照射激励光(L)而生成过量载流子，根据反射后的电磁波(M2)的衰减时间来判断器件晶片中形成的去疵层的去疵性。 | ||
| 搜索关键词： | 器件 晶片 评价 方法 | ||
【主权项】：
一种器件晶片的评价方法，所述器件晶片在正面形成有多个器件并且在内部形成有去疵层，其特征在于，朝向器件晶片的背面照射电磁波并且照射激励光而生成过量载流子，根据反射后的电磁波的衰减时间来判断器件晶片中形成的去疵层的去疵性。
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H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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