[发明专利]基板处理方法、基板处理装置以及基板处理系统有效
申请号: | 201510350188.7 | 申请日: | 2015-06-23 |
公开(公告)号: | CN105206526B | 公开(公告)日: | 2019-05-17 |
发明(设计)人: | 金田正利;大石雄三;吉田圭佑 | 申请(专利权)人: | 东京毅力科创株式会社 |
主分类号: | H01L21/311 | 分类号: | H01L21/311;H01L21/67 |
代理公司: | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 | 代理人: | 刘新宇;张会华 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 本发明提供一种能够在抑制对基板造成的影响的同时在常压气氛下将形成在基板的表面上的被处理膜的一部分去除的基板处理方法、基板处理装置以及基板处理系统。将会因在含氧气氛下照射紫外线而分解的被处理膜的原料涂敷在基板(W)上,对涂敷在基板(W)上的原料进行加热而形成被处理膜。接着,将形成有被处理膜的基板(W)配置在气体的流速为10cm/秒以下的含氧气氛的处理室(61)内并对该基板(W)照射紫外线而将被处理膜的一部分去除。 | ||
搜索关键词: | 处理 方法 装置 以及 系统 | ||
【主权项】:
1.一种基板处理方法,其特征在于,该基板处理方法包括以下工序:在基板上涂敷被处理膜的原料,该被处理膜会因在含氧气氛下照射紫外线而分解;对涂敷在所述基板上的原料进行加热而形成被处理膜;以及将形成有所述被处理膜的基板配置在气体的流速为10cm/秒以下的含氧气氛的处理室内并对该基板照射紫外线而将所述被处理膜的表面去除。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造