[发明专利]制备铜锡硫或铜锡硫硒薄膜的方法有效
| 申请号： | 201510354656.8 | 申请日： | 2015-06-24 |
| 公开（公告）号： | CN105047753B | 公开（公告）日： | 2017-03-22 |
| 发明（设计）人： | 朱长飞;王亚光;李建民;刘伟丰;江国顺 | 申请（专利权）人： | 中国科学技术大学 |
| 主分类号： | H01L31/18 | 分类号： | H01L31/18;H01L21/02;H01L21/477 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司11021 | 代理人： | 刘宇 |
| 地址： | 230026 安*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | 本公开提供了一种制备铜锡硫或铜锡硫硒薄膜的方法，所述方法包括以下步骤步骤一清洗衬底，以获得清洁衬底；步骤二在步骤一所述清洁衬底上以任意顺序通过溶液沉积法连续交替沉积SnS薄膜和Cu薄膜；步骤三在硫气氛或者硒气氛下，将步骤二得到的含有Sn元素和Cu元素薄膜的叠层进行热处理，得到铜锡硫或铜锡硫硒薄膜。 | ||
| 搜索关键词： | 制备 铜锡硫 铜锡硫硒 薄膜 方法 | ||
【主权项】：
一种制备铜锡硫或铜锡硫硒薄膜的方法，所述方法包括以下步骤：步骤一：清洗衬底，以获得清洁衬底；步骤二：在步骤一所述清洁衬底上以任意顺序通过溶液沉积法连续交替沉积SnS薄膜和Cu薄膜；步骤三：在硫气氛或者硒气氛下，将步骤二得到的含有Sn元素和Cu元素薄膜的叠层进行热处理，得到铜锡硫或铜锡硫硒薄膜，其中所述沉积SnS薄膜使用包含以下各项的沉积液：亚锡盐、络合剂、含硫化合物以及碱性pH调节液，其中所述亚锡盐选自氯化亚锡、草酸亚锡或硫酸亚锡中的一种或几种；和/或所述亚锡盐在沉积SnS薄膜所使用的沉积液中的浓度为0.02‑0.12M；和/或所述络合剂为三乙醇胺；和/或所述络合剂在沉积SnS薄膜所使用的沉积液中所占体积分数为2％至8％；和/或所述含硫化合物选自硫代乙酰胺、硫代硫酸钠或者硫脲中的一种或几种；和/或所述含硫化合物在沉积SnS薄膜所使用的沉积液中的浓度为0.06‑0.12M；和/或所述碱性pH调节液选自氨水、NaOH以及KOH溶液中的一种或几种；和/或沉积SnS薄膜所使用的沉积温度为25至60℃；和/或沉积SnS薄膜所持续的沉积时间为3小时至8小时。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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