[发明专利]用于形成垂直导电连接的方法有效
| 申请号： | 201510367989.4 | 申请日： | 2015-06-29 |
| 公开（公告）号： | CN105226010B | 公开（公告）日： | 2018-10-26 |
| 发明（设计）人： | M·梅纳斯 | 申请（专利权）人： | 英飞凌科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768 |
| 代理公司： | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人： | 王茂华 |
| 地址： | 德国诺伊*** | 国省代码： | 德国;DE |
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| 摘要： | 一种用于形成垂直导电连接的方法包括形成包括垂直延伸通过电绝缘层的至少一个孔洞的电绝缘层以及沉积导电层。导电层的表面包括电绝缘层的至少一个孔洞的位置处的凹陷。进一步地，该方法包括在导电层上形成平滑层，以及刻蚀平滑层和导电层直到在电绝缘层的表面的至少一部分上方去除导电层并且导电层保留在至少一个孔洞内。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 形成 垂直 导电 连接 方法 | ||
【主权项】：
1.一种用于形成垂直导电连接的方法，所述方法包括：形成电绝缘层，所述电绝缘层包括垂直延伸通过所述电绝缘层的孔洞；沉积导电层，其中所述导电层的表面包括在所述电绝缘层的所述孔洞上方的凹陷；在所述导电层上形成平滑层；以及刻蚀所述孔洞之上的所述平滑层和所述导电层，直到在所述电绝缘层的表面的至少一部分上方去除所述导电层并且所述导电层保留在所述孔洞内。
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H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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