[发明专利]一种自动控温等离子体装置有效
| 申请号： | 201510373735.3 | 申请日： | 2015-06-30 |
| 公开（公告）号： | CN104966688B | 公开（公告）日： | 2018-05-04 |
| 发明（设计）人： | 刘涛;金懿 | 申请（专利权）人： | 上海华力微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙)31237 | 代理人： | 智云 |
| 地址： | 201203 上海市*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种自动控温等离子体装置，包括容置腔室，围闭形成待等离子体工艺处理之晶圆的收容空间；盖体，设置在容置腔室上，并在容置腔室与盖体之间设置密封环；自动控温装置，进一步包括温度侦测器，用于侦测盖体之温度；温度控制器，接收来自温度侦测器之侦测信号，并根据侦测信号发出指令；报警装置，执行温度控制器之指令，发出警示信息，并停止自动控温等离子体装置之工艺。本发明通过设置侦测盖体之温度的自动控温装置，不仅可以通过温度侦测器实时进行温度侦测，在侦测温度大于预设安全温度时，通过温度控制器停止自动控温等离子体装置之工艺，而且可通过报警装置发出警示信息，便于及时停机检查。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 自动 等离子体 装置 | ||
【主权项】：
一种自动控温等离子体装置，其特征在于，所述自动控温等离子体装置，包括：容置腔室，围闭形成待等离子体工艺处理之晶圆的收容空间；盖体，设置在所述容置腔室上，并在所述容置腔室与所述盖体之间设置密封环，所述盖体之异于所述容置腔室的一侧涂覆绝缘涂层；自动控温装置，进一步包括：温度侦测器，用于侦测所述盖体之温度；温度控制器，接收来自所述温度侦测器之侦测信号，并根据所述侦测信号发出指令；报警装置，执行所述温度控制器之指令，发出警示信息，并停止所述自动控温等离子体装置之工艺。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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