[发明专利]一种高阻隔薄膜的制备方法

摘要

本发明涉及一种高阻隔薄膜制备的方法，其技术方案为，首先将基材放置于基片台或绕于电极辊上，并对反应室抽真空，之后对基材进行表面活性处理，然后通入有机硅化合物蒸气和含氧气体等成膜气体并调节气压，再开启粉尘粒子清除装置的电源并调节施加于捕集电极上的电压，之后开启射频电源功率开关并调节馈入功率，开始碳氧化硅薄膜沉积，至得到柔性透明超高阻隔碳氧化硅薄膜样品，最后关闭射频电源，停止成膜气体的通入，再关闭粉尘粒子清除装置的电源，停止真空抽气，待真空腔室放气完成后，取出样品。本发明可实现碳氧化硅薄膜无污染的制备，具有制备工艺简单，薄膜沉积速率高，有利于实现大规模工业化生产等优点。

主权项

1.一种高阻隔薄膜的制备方法,包括下述工艺步骤：（1）将基材放置于基片台或绕于电极辊上，并对反应室抽真空至1×10‑2 Pa以下；（2）使用Ar或O2等离子体对基材表面进行活性处理；（3）使用等离子体对成膜气体进行化学气相沉积，在基材上沉积高阻隔层，得到柔性透明高阻隔薄膜，其特征在于, 柔性透明高阻隔薄膜是在有粉尘粒子产生的等离子体化学条件下利用等离子体化学气相沉积技术制备的，悬浮于等离子体中的粉尘粒子本身带有负电荷；所述高阻隔薄膜光透过率80%以上；所述等离子体化学气相沉积时在真空室内使用粉尘粒子清除装置，并在通入成膜气体后、开启射频电源之前，开启粉尘粒子清除装置；所述粉尘粒子清除装置为包含至少一个捕集粉尘粒子的电极、控制捕集电极电位的电源和电路、粉尘粒子存储及将被捕集的粉尘粒子排除真空腔外的装置；所述捕集粉尘粒子的电极的表面由绝缘材料覆盖；工作时，在捕集粉尘粒子的电极上施加相对于等离子体正的电压，所述电压略高于等离子体电势几伏；所述气相沉积真空室调节工作气压为 50 Pa 。