[发明专利]一种具有自组装电子传输层的QLED器件及其制备方法

摘要

本发明公开一种具有自组装电子传输层的QLED器件的制备方法，其包括步骤：制备一空穴注入层于ITO基板上；然后制备一空穴传输层于空穴注入层上；接着制备一发光层和电子传输层于空穴传输层上，其中，所述发光层和电子传输层由含氟小分子与量子点的混合溶液自组装而成，并且电子传输层位于发光层上；最后制备一电子注入层于电子传输层上，并制备一阴极于电子注入层上，制得QLED器件。本发明利用量子点发光二极管发光层QDs与电子传输层含氟小分子间的表面能差异，实现了只需一次成膜即可同时获得发光层和电子传输层的有益效果，简化了器件的制备流程，节约了生产成本。 1

主权项

1.一种具有自组装电子传输层的QLED器件的制备方法，其特征在于，包括步骤：A、制备一空穴注入层于ITO基板上；B、然后制备一空穴传输层于空穴注入层上；C、接着制备一发光层和电子传输层于空穴传输层上，其中，所述发光层和电子传输层由低表面能的含氟小分子与量子点的混合溶液自组装而成，并且电子传输层位于发光层上；D、随后制备一电子注入层于电子传输层上，最后制备一阴极于电子注入层上，制得QLED器件。