[发明专利]逐次逼近型模数转换器的全差分增量采样方法有效
申请号: | 201510378978.6 | 申请日: | 2015-07-01 |
公开(公告)号: | CN105007079B | 公开(公告)日: | 2018-04-17 |
发明(设计)人: | 耿莉;宋焱;薛仲明;范世全;张珏颖;谢毅 | 申请(专利权)人: | 西安交通大学 |
主分类号: | H03M1/38 | 分类号: | H03M1/38 |
代理公司: | 西安通大专利代理有限责任公司61200 | 代理人: | 陆万寿 |
地址: | 710049 *** | 国省代码: | 陕西;61 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明公开一种逐次逼近型模数转换器的全差分增量采样方法,根据神经信号的幅值特性分析,确定了在信号非活跃期间,其幅值大部分可以落在16LSB的窗口内,因此通过设置这个判断窗口可以屏蔽信号非活跃期间SAR ADC的高位冗余转换;在信号活跃时,其幅值变化超过16LSB,ADC从高位开始转换,克服了输入追踪SAR ADC结构需要限制输入信号幅度的问题。本发明设计的增量采样SAR ADC为全差分结构,可以有效抑制共模干扰,抑制偶次谐波,提高ADC转换的精度,克服了单端结构共模扰动大、偶次谐波噪声明显的问题。同时,相比于单端增量采样结构,全差分结构的信号转换范围也扩大了一倍,有效地拓宽了输入信号的范围。 | ||
搜索关键词: | 逐次 逼近 型模数 转换器 全差分 增量 采样 方法 | ||
【主权项】:
逐次逼近型模数转换器的全差分增量采样方法,其特征在于,包括以下步骤:1)当采样控制信号SAMPLE信号为“1”时,进入采样阶段,此时采样开关闭合,电容阵列上极板跟随输入信号变化;电容阵列下极板从高位到低位根据前次量化结果D[9:1]分别接到VDD或者GND;当D[0]为1时,P型电容阵列中的C0接到VCM,N型电容阵列中的C0接到GND;当D[0]为0时,P型电容阵列中的C0接到GND,N型电容阵列中的C0接到VCM;在采样结束时,电容阵列上极板电荷量表达式为:Qp=VIP·CT-(Σi=19(D[i]·2i-1C0)·VDD+D[0]·C0·VDD2)---(3)]]>Qn=VIN·CT-(Σi=19(D[i]‾·2i-1C0)·VDD+D[0]‾·C0·VDD2)---(4)]]>其中CT为单端电容阵列的和;2)采样结束后,进入保持状态,采样开关断开,电容开关控制电容阵列下极板全部接到VCM,此时电容阵列上极板的电荷量表达式为:Qp=(Vp‑VCM)·CT (5)Qn=(Vn‑VCM)·CT (6)令(3)(5)和(4)(6)式分别相等,得到在采样结束时电容阵列上极板电压表达式:Qp=VIP-(Σi=19D[i]·2i-1C0CT·VDD+D[0]·C0CT·VDD2)+VCM=VIP-VIP′+VCM---(7)]]>Vn=VIN-(Σi=19D[i]‾·2i-1C0CT·VDD+D[0]‾·C0CT·VDD2)+VCM=VIN-VIN′+VCM---(8)]]>由(7)(8)式相减得到差分采样得到的差值信号为:Vp‑Vn=(VIP‑VIN)‑(V′IP‑V′IN) (9)其中,VIP‑VIN为本次差分采样电压值,V′IP‑V′IN为前次差分采样量化结果值;3)保持相位结束后判断差分采样增量电压值的符号和大小:如果增量电压为正,电容开关将P端C5电容的下级板接到GND,N端C5电容的下级板接到VDD,此时电容阵列上极板电压差值为:Vp-Vn=(VIP-VIN)-(VIP′-VIN′)-132VDD---(10)]]>所述全差分增量采样方法采用全查分采样,采样信号满幅度为2VDD,量化精度为10bit,因此一个量化台阶LSB为VDD/512;如果比较器的比较结果为“1”,表示正的增量电压值大于1/32VDD,即16LSB,超出了低4位的编码范围,下一步从最高位C9电容开始转换:将C5电容的下级板接回VCM,P端的C9电容的下级板接到GND,N端的C9电容的下级板接到VDD,比较器判断正的增量电压值是否大于1/2VDD,如果大于1/2VDD则P端的C8下极板从VCM接到GND且N端的C8下极板从VCM接到VDD,判断增量电压值是否大于3/4VDD,反之如果小于1/2VDD则P端的C8下极板从VCM接到VDD且N端的C8下极板从VCM接到GND,判断增量电压值是否大于1/4VDD,后续转换原理同上直到所有位数转换完成;如果比较结果为“0”,表示正的增量电压小于1/32VDD,直接进行下一步C4电容的转换:将P端的C4电容的下级板接到VDD,N端的C4电容的下级板接到GND,判断正的增量电压是否大于1/64VDD,如果大于1/64VDD则P端的C3下极板从VCM接到GND且N端的C3下极板从VCM接到VDD,判断增量电压是否大于3/128VDD,反之如果小于1/64VDD则P端的C3下极板接到VDD且N端的C3下极板接到GND,判断增量电压是否大于1/128VDD,后续转换原理同上直到所有位数转换完成;如果增量电压为负值,将P端C5电容的下级板接到VDD,N端C5电容的下级板接到GND;如果比较结果为“0”,表示负的增量电压值大于1/32VDD,下一步需要从C9电容开始转换,如果比较结果为“1”,表示负的增量电压值小于1/32VDD,屏蔽高4位的转换,下一步从C4电容进行转换,直到转换结束;4)步骤3)中正的增量电压的转换编码值通过10位加法器加到前次转换的量化编码值上,得到本次差分量VIP‑VIN的量化编码值;步骤3)中负的增量电压的转换编码值通过10位加法器从前次转换的量化编码值中减去,得到本次差分量VIP‑VIN的量化编码值;5)待所有的转换步骤完成,本次转换结束,逐次逼近型模数转换器进入到待机状态,等待下一个SAMPLE信号高电平的到来,进行下一次的采样转换;电容阵列的P型电容阵列和N型电容阵列完全相同,均包括10个电容C0‑C9;每部分电容阵列电容大小按照2的指数次幂排列,即Ci=2i‑1C0 1≤i≤9 (2)其中Ci代表第i个电容的大小,C0代表单位电容;电容阵列最末尾的电容C0作为权重电容,不参与转换;P型电容阵列的所有电容的上极板连接比较器的正输入端;N型电容阵列的所有电容的上极板连接比较器的负输入端;外部输入信号VIP通过第一采样开关连接比较器的正输入端;外部输入信号VIN通过第二采样开关连接比较器的负输入端;P型电容阵列和N型电容阵列中每个电容的下级板由电容开关Spi和Sni控制其连接到参考电平VDD、共模信号VCM或GND,其中VCM=0.5VDD;Vp为比较器的正输入端电压,Vn为比较器的负输入端电压。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于西安交通大学,未经西安交通大学许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201510378978.6/,转载请声明来源钻瓜专利网。