[发明专利]硅基低漏电流悬臂梁可动栅的环形振荡器及制备方法有效
| 申请号： | 201510379528.9 | 申请日： | 2015-07-01 |
| 公开（公告）号： | CN105141307B | 公开（公告）日： | 2018-02-06 |
| 发明（设计）人： | 廖小平;褚晨蕾 | 申请（专利权）人： | 东南大学 |
| 主分类号： | H03L7/099 | 分类号： | H03L7/099 |
| 代理公司： | 南京瑞弘专利商标事务所(普通合伙)32249 | 代理人： | 杨晓玲 |
| 地址： | 211189 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明的硅基低漏电流悬臂梁可动栅的环形振荡器，由三个CMOS倒相器首尾相接而构成，而这三个CMOS倒相器是由具有MEMS悬臂梁栅的NMOS和PMOS组成。该环形振荡器基于Si衬底，其中的NMOS和PMOS的栅极是悬浮在氧化层上方的悬臂梁，该悬臂梁由Al制作，在悬臂梁栅下方有一个下拉电极，其中NMOS悬臂梁栅下方的下拉电极是接地的，而POMS悬臂梁栅下方的下拉电极是接电源电压的，悬臂梁栅NMOS管和悬臂梁栅PMOS管的阈值电压的绝对值设计为相等，悬臂梁栅的下拉电压设计为MOS管的阈值电压的绝对值。本发明不仅结构简单，易于起振，而且还有效的减小了栅极漏电流，降低了一部分直流功耗。 | ||
| 搜索关键词： | 硅基低 漏电 悬臂梁 可动栅 环形 振荡器 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种硅基低漏电流悬臂梁可动栅的环形振荡器，其特征在于该环形振荡器由三个CMOS倒相器构成的，它们首尾相接构成环状，整个环形振荡器是基于P型Si衬底(1)制作的，三个CMOS倒相器通过引线(10)实现互连，每个CMOS倒相器又是由悬臂梁栅NMOS管和悬臂梁栅PMOS管组成，该NMOS管和PMOS管的栅极是悬浮在栅氧化层(11)上的，形成悬臂梁栅(3)，该悬臂梁栅(3)由Al制作，而栅极的多晶硅锚区(2)淀积在P型Si衬底(1)上，在悬臂梁栅(3)下方有一个下拉电极(12)，其中NMOS悬臂梁栅下方的下拉电极是接地的，而POMS悬臂梁栅下方的下拉电极是接电源的，下拉电极(12)上方覆盖有氮化硅介质层(13)。
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