[发明专利]结型栅场效应晶体管(JFET)、半导体器件及其制造方法有效
| 申请号： | 201510381482.4 | 申请日： | 2015-07-02 |
| 公开（公告）号： | CN105280718B | 公开（公告）日： | 2019-08-16 |
| 发明（设计）人： | 陈家忠;黄崎峰;梁其翔 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/808 | 分类号： | H01L29/808;H01L29/06;H01L21/337 |
| 代理公司： | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人： | 章社杲;李伟 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 一种结型栅场效应晶体管(JFET)包括：衬底；源极区，形成在衬底中；漏极区，形成在衬底中；沟道区，形成在衬底中；以及至少一个栅极区，形成在衬底中。沟道区将源极区与漏极区连接。至少一个栅极区在界面处接触源极区和漏极区中的一个，并且至少一个栅极区与源极区和漏极区中的另一个隔离。介电层覆盖界面，同时暴露源极区和漏极区中的一个的一部分以及栅极区的一部分。本发明还提供了半导体器件及其制造方法。 | ||
| 搜索关键词： | 结型栅 场效应 晶体管 jfet 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种结型栅场效应晶体管(JFET)，包括：衬底；源极区，形成在所述衬底中；漏极区，形成在所述衬底中；沟道区，形成在所述衬底中，所述沟道区将所述源极区与所述漏极区连接；至少一个栅极区，形成在所述衬底中，所述至少一个栅极区在界面处接触所述源极区和所述漏极区中的一个，所述至少一个栅极区与所述源极区和所述漏极区中的另一个隔离，所述至少一个栅极区配置为使所述源极区和所述漏极区中的所述一个中出现耗尽区；以及介电层，覆盖所述界面，同时暴露所述源极区和所述漏极区中的所述一个的部分以及所述栅极区的部分；隔离区，位于所述介电层下面，所述隔离区布置在所述源极区和所述漏极区中的所述一个与所述栅极区之间。
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