[发明专利]具有旁路栅极的半导体器件及其制备方法有效
| 申请号： | 201510388589.1 | 申请日： | 2015-07-03 |
| 公开（公告）号： | CN105390542B | 公开（公告）日： | 2021-01-01 |
| 发明（设计）人： | 张太洙;桂祯涉 | 申请（专利权）人： | 爱思开海力士有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京弘权知识产权代理事务所(普通合伙) 11363 | 代理人： | 俞波;许伟群 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种减轻栅极诱导漏极泄露(GIDL)的半导体器件，该半导体器件具有有单个栅电极的旁路栅极以及有下部栅电极和上部栅电极的主栅极。在上部栅电极与储存节点结区设置在同一水平时，有助于减轻GIDL的附加因素包括：上部栅电极具有比下部栅电极低的功函数，以及下部栅电极置于储存节点结区之下。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 旁路 栅极 半导体器件 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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