[发明专利]一种空穴注入层的制作方法、空穴注入层及QLED器件在审
| 申请号： | 201510389547.X | 申请日： | 2015-07-06 |
| 公开（公告）号： | CN105140394A | 公开（公告）日： | 2015-12-09 |
| 发明（设计）人： | 肖标;付东;谢相伟;高卓 | 申请（专利权）人： | TCL集团股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L51/00 | 分类号： | H01L51/00;H01L51/50 |
| 代理公司： | 深圳市君胜知识产权代理事务所 44268 | 代理人： | 王永文;刘文求 |
| 地址： | 516006 广东省*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明公开一种空穴注入层的制作方法、空穴注入层及QLED器件，其中，方法包括步骤：A、对ITO衬底基板进行清洗，然后干燥；B、将ITO衬底基板进行表面处理；C、将过渡族金属氧化物附着于ITO衬底基板的表面，作为QLED器件的空穴注入层，过渡族金属氧化物通过溶胶-凝胶法附着于ITO衬底基板的表面。本发明采用过渡族金属氧化物（主要包括氧化钼、氧化钒和氧化钨等）作为QLED器件的空穴注入层材料来调节ITO衬底的功函数，使得QLED器件中空穴注入层材料的功函数可以在较大范围内进行有效调节，方便红绿蓝不同颜色量子点都能根据其价带的位置找到具有良好能级匹配的空穴注入层材料，从而有效减少空穴的注入势垒，提高器件的发光效率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 空穴 注入 制作方法 qled 器件 | ||
【主权项】：
一种空穴注入层的制作方法，其特征在于，包括步骤：A、对ITO衬底基板进行清洗，然后干燥；B、将ITO衬底基板进行表面处理；C、将过渡族金属氧化物附着于ITO衬底基板的表面，作为QLED器件的空穴注入层，过渡族金属氧化物通过溶胶‑凝胶法附着于ITO衬底基板的表面。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件；专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的；具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射；专门适用于将这些辐射能转换为电能，或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的，如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择
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