[发明专利]半导体存储器件及其操作方法有效
| 申请号： | 201510405106.4 | 申请日： | 2015-07-10 |
| 公开（公告）号： | CN105280213B | 公开（公告）日： | 2019-06-04 |
| 发明（设计）人： | 林仁根;李珉圭 | 申请（专利权）人： | 爱思开海力士有限公司 |
| 主分类号： | G11C7/18 | 分类号： | G11C7/18;G11C8/10;G11C8/14 |
| 代理公司： | 北京弘权知识产权代理事务所(普通合伙) 11363 | 代理人： | 俞波;毋二省 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 根据本发明的一实施例的半导体存储器件包括分别耦接至第一字线群组和第二字线群组的第一单元串和第二单元串。一种操作所述半导体存储器件的方法可以包括通过施加通过电压至所述第二字线群组以在所述第二单元串中形成通道；通过所述位线以将在所述第一单元串的存储单元中耦接至所述第一字线群组的选中的字线的选中的存储单元的数据反映在所述第二单元串的通道上；以及通过经由所述位线以感测所述第二单元串的电荷量，来确定选中的存储单元的数据。 | ||
| 搜索关键词： | 字线 群组 半导体存储器件 存储单元 位线 耦接 数据反映 电荷量 感测 施加 | ||
【主权项】：
1.一种半导体存储器件的操作方法，所述半导体存储器件包括第一单元串和第二单元串，所述第一单元串和第二单元串共享位线并且分别耦接至第一字线群组和第二字线群组，所述操作方法包括：通过施加第一通过电压至所述第一字线群组，以在所述第一单元串中形成通道；通过施加第二通过电压至所述第二字线群组，以在所述第二单元串中形成通道；通过施加读取电压至所述第一字线群组的选中的字线以将所述第一单元串的存储单元之中的耦接至所述选中的字线的选中的存储单元的数据反映在所述位线上，使得所述选中的存储单元的数据被反映在所述第二单元串的通道上；以及通过经由所述位线感测所述第二单元串的电荷量，来确定所述选中的存储单元的数据。
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