[发明专利]包含三维阵列结构的半导体存储器装置在审
| 申请号： | 201510405997.3 | 申请日： | 2015-07-10 |
| 公开（公告）号： | CN105261386A | 公开（公告）日： | 2016-01-20 |
| 发明（设计）人： | 安正烈;李闰敬 | 申请（专利权）人： | 爱思开海力士有限公司 |
| 主分类号： | G11C7/18 | 分类号： | G11C7/18;G11C8/10;G11C8/14 |
| 代理公司： | 北京弘权知识产权代理事务所(普通合伙) 11363 | 代理人： | 俞波;许伟群 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 一种半导体存储器装置可以包含耦接至共源极线的源极选择晶体管；耦接在所述源极选择晶体管于正常存储单元之间的源极侧虚设存储单元；以及耦接至位线的漏极选择晶体管。所述半导体存储器装置可以包含耦接在漏极选择晶体管与正常存储单元之间的漏极侧虚设存储单元。所述源极侧虚设存储单元的数量比所述漏极侧虚设存储单元的数量少，并且所述漏极选择晶体管的数量比所述源极选择晶体管少。 | ||
| 搜索关键词： | 包含 三维 阵列 结构 半导体 存储器 装置 | ||
【主权项】：
一种半导体存储器装置，其包含堆叠在衬底之上的正常存储单元，所述半导体存储器装置包括：源极选择晶体管，其耦接至共源极线；源极侧虚设存储单元，其耦接在上述源极选择晶体管与所述正常存储单元之间；漏极选择晶体管，其耦接至位线；以及漏极侧虚设存储单元，其耦接在所述漏极选择晶体管与所述正常存储单元之间，其中，所述源极侧虚设存储单元的数量比所述漏极侧虚设存储单元的数量少，并且其中，所述漏极选择晶体管的数量比所述源极选择晶体管的数量多。
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