[发明专利]一种离子束刻蚀时的加工参数确定方法有效
| 申请号： | 201510408705.1 | 申请日： | 2015-07-10 |
| 公开（公告）号： | CN104966682B | 公开（公告）日： | 2017-11-28 |
| 发明（设计）人： | 曾思为;吴丽翔;邱克强;付绍军 | 申请（专利权）人： | 中国科学技术大学 |
| 主分类号： | H01L21/66 | 分类号： | H01L21/66 |
| 代理公司： | 北京凯特来知识产权代理有限公司11260 | 代理人： | 郑立明,郑哲 |
| 地址： | 230026 安*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种离子束刻蚀时的加工参数确定方法，其包括预设工件刻蚀的相关参数，其包括工件一维刻蚀深度曲线与离子束刻蚀速率；将工件一维刻蚀深度曲线进行曲线变化，获得相应的驻留时间曲线；根据所述驻留时间曲线计算快门组件或工件的匀速移动速率，并根据所述匀速移动速率对驻留时间曲线进行坐标变换；对坐标变换后的驻留时间曲线进行分割，获得快门组件中可移动快门相对于快门零位的距离与时间曲线。采用本发明公开的方法，可以快速获得加工面形的加工参数。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 离子束 刻蚀 加工 参数 确定 方法 | ||
【主权项】：
一种离子束刻蚀时的加工参数确定方法，其特征在于，包括：预设工件刻蚀的相关参数，其包括：工件一维刻蚀深度曲线与离子束刻蚀速率；将工件一维刻蚀深度曲线进行曲线变化，获得相应的驻留时间曲线；根据所述驻留时间曲线计算快门组件或工件的匀速移动速率，并根据所述匀速移动速率对驻留时间曲线进行坐标变换；对坐标变换后的驻留时间曲线进行分割，获得快门组件中可移动快门相对于快门零位的距离与时间曲线。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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