[发明专利]TFT基板结构的制作方法

摘要

本发明提供一种TFT基板结构的制作方法，在依次形成第一钝化层、平坦层、及第一透明导电膜之后，先对第一透明导电膜进行图案化处理，形成第一像素电极，之后再采用黄光制程在平坦层上对应漏极上方曝光出第一过孔，然后以平坦层为自对准光罩，采用干法蚀刻制程在第一钝化层上对应第一过孔蚀刻出第二过孔，从而有效防止第一透明导电膜在第一、第二过孔处的残留，提高了生产良率，同时减少一道光罩，避免了由于对位不准造成的开口率降低，提高了生产效率，降低了生产成本，提高了产品价格的竞争力。

主权项

一种TFT基板结构的制作方法，其特征在于，包括如下步骤；步骤1、提供基板(1)，在所述基板(1)上沉积缓冲层(2)；在所述缓冲层(2)上沉积第一金属层，并对所述第一金属层进行图案化处理，形成栅极(3)；步骤2、在所述缓冲层(2)、及栅极(3)上沉积栅极绝缘层(4)；在所述栅极绝缘层(4)上沉积氧化物半导体层，并对所述氧化物半导体层进行图案化处理，形成岛状半导体层(5)；步骤3、在所述栅极绝缘层(4)、及岛状半导体层(5)上沉积第二金属层，并对所述第二金属层进行图案化处理，得到源极(6)、及漏极(7)；步骤4、在所述栅极绝缘层(4)、岛状半导体层(5)、源极(6)、及漏极(7)上沉积第一钝化层(8)；步骤5、在所述第一钝化层(8)上形成平坦层(9)；步骤6、在所述平坦层(9)上沉积第一透明导电膜，并对所述第一透明导电膜进行图案化处理，形成第一像素电极(10)；步骤7、在所述第一钝化层(8)、及平坦层(9)上对应所述漏极(7)的上方依次形成第一过孔(91)、及第二过孔(92)，所述第一过孔(91)、及第二过孔(92)暴露出部分漏极(7)；步骤8、在所述第一像素电极(10)及平坦层(9)上沉积第二钝化层(11)，并对所述第二钝化层(11)进行图案化处理，在所述第二钝化层(11)上形成一对应于所述第一过孔(91)与第二过孔(92)的第三过孔(93)；步骤9、在所述第二钝化层(11)上沉积第二透明导电膜，并对所述第二透明导电膜进行图案化处理，形成第二像素电极(12)，所述第二像素电极(12)经由第一、第二、第三过孔(91、92、93)与漏极(7)相连。