[发明专利]一种刻蚀装置及刻蚀方法有效
| 申请号： | 201510413179.8 | 申请日： | 2015-07-13 |
| 公开（公告）号： | CN104992914B | 公开（公告）日： | 2017-12-01 |
| 发明（设计）人： | 江亮亮;尹傛俊 | 申请（专利权）人： | 合肥鑫晟光电科技有限公司;京东方科技集团股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67 |
| 代理公司： | 北京同达信恒知识产权代理有限公司11291 | 代理人： | 黄志华 |
| 地址： | 230011 *** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种刻蚀装置及刻蚀方法，主要内容包括在现有的刻蚀装置的基础上，增设一微波源，使得该微波源在槽底所在水平面上的正投影覆盖所有喷嘴在槽底所在水平面上的正投影，待刻蚀的基板上的刻蚀液中的水分子可以吸收微波能量，使得倾斜面下方的刻蚀液的搅拌速度加快，进而弥补由于基板刻蚀液浓度不一致而导致的刻蚀反应程度不均一的问题，保证基板刻蚀效果均一。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 刻蚀 装置 方法 | ||
【主权项】：
一种刻蚀装置，包括：刻蚀液回收槽，在所述刻蚀液回收槽上方与所述刻蚀液回收槽呈预设角度倾斜设置的至少两个传送滚轮，以及位于任意一个所述传送滚轮上方且与所述传送滚轮平行设置的至少一排喷嘴，其特征在于，还包括：与刻蚀液回收槽的槽底平行设置的一微波源，所述微波源在所述槽底所在的水平面上的正投影覆盖所有喷嘴在所述槽底所在的水平面上的正投影。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
