[发明专利]半导体器件的制造方法及衬底处理装置

摘要

一种半导体器件的制造方法及衬底处理装置，抑制实施成膜处理后的处理室内产生颗粒，包括下述工序：将衬底搬入处理室内的工序；在处理室内，利用具有加热器的支承台支承衬底的工序；将支承着衬底的支承台配置于第一位置，在使加热器为打开的状态下，向处理室内供给处理气体、在衬底上形成膜的工序；将膜形成后的衬底从处理室内搬出的工序；将支承台配置于比第一位置更靠近处理室内的顶板部的第二位置，在使加热器为打开的状态下，向处理室内供给反应性气体的工序。

主权项

1.一种半导体器件的制造方法，其具有下述工序：将衬底搬入处理室内的工序；在所述处理室内，利用具有加热器的支承台支承所述衬底的工序；将支承着所述衬底的所述支承台配置于第一位置，在使所述加热器为打开的状态下，向所述处理室内供给处理气体、在所述衬底上形成膜的工序；将膜形成后的所述衬底从所述处理室内搬出的工序；将所述支承台配置于比所述第一位置更靠近所述处理室内的顶板部的第二位置，在使所述加热器为打开的状态下，向所述处理室内供给包含改性气体和清洁气体的反应性气体的工序，其中，供给所述反应性气体的工序包含下述工序：向所述处理室内供给所述改性气体而不供给所述清洁气体，由此对在所述衬底上形成膜时附着在所述处理室内的堆积物进行改性的工序；和向所述处理室内供给所述清洁气体而不供给所述改性气体，由此将在对所述堆积物进行改性的工序中被改性了的、附着在所述处理室内的所述堆积物除去的工序。