[发明专利]一种高温CVD设备有效
申请号: | 201510419538.0 | 申请日: | 2015-07-17 |
公开(公告)号: | CN106702345B | 公开(公告)日: | 2019-02-01 |
发明(设计)人: | 鞠涛;张立国;李哲;范亚明;张泽洪;张宝顺 | 申请(专利权)人: | 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 |
主分类号: | C23C16/32 | 分类号: | C23C16/32 |
代理公司: | 南京纵横知识产权代理有限公司 32224 | 代理人: | 董建林 |
地址: | 215123 江苏省苏州市*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | 本发明涉及一种高温CVD设备,包括:设有内层侧壁与外层侧壁的双层侧壁,以及分别设置在所述双层侧壁两端的盖体,其特征在于,所述双层侧壁周向设有基准法兰,所述基准法兰沿所述双层侧壁轴向固定限位至少一端的所述盖体。所述盖体包括顶盖、上法兰和下法兰,且所述顶盖、上法兰、下法兰和基准法兰逐层压叠,所述上法兰和所述下法兰之间间隙可调整连接,或/和所述下法兰和所述基准法兰之间间隙可调整连接。上法兰、下法兰和基准法兰两两配合分别通过轴向的挤压使套在外层侧壁和内层侧壁外周的胶圈产生径向形变,从而将法兰和侧壁之间密封起来,同时通过严格控制三个法兰的厚度,以此控制因为负压情况下上、下顶盖对法兰的挤压位移较小或为零,从而侧壁端部受到的轴向应力得到了上限控制。 | ||
搜索关键词: | 一种 高温 cvd 设备 | ||
【主权项】:
1.一种高温CVD设备,包括:设有内层侧壁与外层侧壁的双层侧壁,以及分别设置在所述双层侧壁两端的盖体,其特征在于,所述双层侧壁周向设有基准法兰,所述基准法兰沿所述双层侧壁轴向固定限位至少一端的盖体;所述盖体包括顶盖、上法兰和下法兰,且所述顶盖、上法兰、下法兰和基准法兰逐层压叠,所述上法兰和所述下法兰之间间隙可调整连接,或/和所述下法兰和所述基准法兰之间间隙可调整连接;所述上法兰设有第一胶圈槽,所述下法兰设有朝向所述上法兰的第一凸部,所述内层侧壁的端部以及其外周设有的胶圈共同设置在所述第一胶圈槽内,所述第一凸部沿所述双层侧壁轴向压入所述第一胶圈槽并挤压所述胶圈;所述基准法兰设有第二胶圈槽,所述下法兰设有朝向所述基准法兰的第二凸部,所述外层侧壁的端部以及其外周设有的胶圈共同设置在所述第二胶圈槽内,所述第二凸部沿双层侧壁轴向压入所述第二胶圈槽并挤压所述胶圈。
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C23 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
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