[发明专利]一种高可靠性晶圆级焊锡微凸点制作方法

摘要

一种高可靠性晶圆级焊锡微凸点制作方法，属于半导体芯片封装领域。本发明首先利用经过曝光显影形成开口的光刻胶作为掩膜，在凸点下金属层上依次电镀铜层、阻挡层、焊料合金，并使得焊料合金完全包裹住底部的铜层和阻挡层。然后通过先回流后去胶的方法形成焊锡微凸点，最后以微凸点作为刻蚀掩膜利用湿法刻蚀工艺去除多余的凸点下金属层。本发明能够避免凸点下金属层进行各向同性刻蚀时凸点层的电镀铜受到过度刻蚀，避免微凸点回流塌陷发生桥接，进而提高微凸点及封装产品的可靠性。

主权项

1.一种高可靠性晶圆级焊锡微凸点制作方法，其特征在于：该方法避免在进行各向同性湿法刻蚀去除多余的凸点下金属层时，凸点层不会被过度刻蚀，从而提高微凸点及产品的可靠性；其工艺流程如下，A)提供一IC晶圆(100)，所述晶圆正面具有钝化层(100b)及若干焊盘(100a)，所述钝化层(100b)形成有暴露焊垫的若干第一开口(110)；B)于晶圆正面及第一开口内依次溅镀钛层(101)和铜层(102)；C)于所述溅镀铜层(102)上形成第一光阻层(103)，所述第一光阻层(103)通过曝光、显影工艺形成暴露凸点下金属层的第二开口(120)；D)在第二开口(120)内，采用电镀工艺在暴露的凸点下金属层(102)上依次沉积凸点层(104)和阻挡层(105)；E)去除第一光阻层(103)；F)涂覆第二光阻层(106)，并通过曝光、显影工艺在凸点区域形成第三开口(130)；G)于第三开口(130)内沉积焊料层(107)；H)将焊料层进行高温回流形成微凸点(108)，并去除第二光阻层(106)；I)以微凸点(108)为刻蚀掩膜进行各向同性湿法刻蚀，去除多余的溅镀铜层(102)，同时可避免凸点层(104)产生底切(109)。